打破垄断拿下“制芯”关键技术加速自主芯片研制进度
“PM2.5，是大家很熟悉的微小颗粒物，直径小于或等于2.5微米。但我们研制这种制造芯片的关键材料，在过程中如果进入了哪怕PM1.0的粉尘，这个材料就是废品，就不能被应用到芯片当中。”图片来源于网络 唐一林简单一句话，道出了集“超纯净”与“超均匀”于一体的制芯新材料——“光刻胶用线性酚醛树脂”对环境的苛刻要求。5月初，这位亚洲最大酚醛树脂生产基地的掌舵者告诉科技日报记者，历时26年，用于芯片制作的国产高端电子树脂研制成功。专家认为，这种高端材料打破了美日等国垄断，可大大加速我国自主芯片的研制进度。 科技日报记者了解到，“光刻胶用线性酚醛树脂”的国产化成功，已经让数家光刻胶企业（“芯片”上游企业）慕名而来，采购这种“制芯”用的高端材料。 “以前并没有觉得电子树脂的市场可以如此之大，主要将其应用在印制电路板领域。但随着中兴事件发酵，以及自主芯片热的再度升温，让我们看到中国发展高端电子树脂的迫切性。”项目研制者之一、圣......阅读全文
打破垄断－拿下“制芯”关键技术－加速自主芯片研制进度
“PM2.5，是大家很熟悉的微小颗粒物，直径小于或等于2.5微米。但我们研制这种制造芯片的关键材料，在过程中如果进入了哪怕PM1.0的粉尘，这个材料就是废品，就不能被应用到芯片当中。”图片来源于网络 唐一林简单一句话，道出了集“超纯净”与“超均匀”于一体的制芯新材料——“光刻胶用线性酚醛树脂
酚醛树脂制取实验
线型酚足酸过量， 浴热管冷氨后加。 线型乳白体深黄， 清洗醇泡法最佳。 解释： 1、线型酚足酸过量：这句的意思是说制取线型酚醛树脂时，是在酸性条件下苯酚过量(言外之意，在制取体型酚醛树脂时，要在碱性条件下甲醛过量)。 2、浴热管冷氨后加："浴热"的意思是说该实验不能用酒精灯加热(因为温度
岛津半导体领域全面解决方案，助力中国“芯”未来
导读近年来，国内芯片生产力呈爆发式增长。据海关总署数据显示：2024年前七个月，中国芯片出口总额达到6409.1亿元，超过汽车、手机、家电等传统出口项目，仅次于船舶，是国内第二大出口产业。更为重要的是，在7nm以上芯片上，国内已经形成了完整的产业链和配套设施，芯片产业的自给率从十年前的不足10%，提
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
传统酚醛树脂可“老树发新芽”
酚醛树脂是人类历史上第一种人工合成塑料，自诞生以来已经历了一个世纪。上个世纪以来，尽管高性能工程塑料的持续涌现加速了酚醛树脂的替代，但因其具有机械性能、电绝缘性、防火性和化学稳定性等方面的优势，在民用制品、建筑材料、装饰和军工领域中仍然占有一席之地。 近日，中国科学技术大学俞书宏院士团队在《材
2024上海光刻胶展「2024中国大型光刻胶博览会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
甲基磺酸在酚醛树脂起什么作用
太笼统；合成酚醛树脂时可以作催化剂；热固性酚醛树脂中加甲基磺酸可以做固化剂。
复旦大学研发半导体性光刻胶，实现特大规模集成度芯片制造
复旦大学高分子科学系设计了一种新型半导体性光刻胶，成功在全画幅芯片上集成2700万个有机晶体管，实现特大规模集成度（ULSI）。 据复旦大学高分子科学系消息，该校研究团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了 2700 万个有机晶体管并实现了互连，集成度达到特大规模
岛津助力关键材料国产替代化——材料研发中的测试方法
新材料是全球科技竞争的关键领域，也是国家竞争力的重要体现。然而，我国材料强国之路任重而道远。研发生产关键新材料实现国产替代对我国产业链和供应链安全具有重要意义。国家“十四五”规划明确提出深入实施制造强国战略，并对高端新材料的发展做出明确部署：推动高端稀土功能材料、高性能陶瓷等先进金属和无机非金属材料
岛津助力关键材料国产替代化——材料研发中的测试方法
新材料是全球科技竞争的关键领域，也是国家竞争力的重要体现。然而，我国材料强国之路任重而道远。研发生产关键新材料实现国产替代对我国产业链和供应链安全具有重要意义。国家“十四五”规划明确提出深入实施制造强国战略，并对高端新材料的发展做出明确部署：推动高端稀土功能材料、高性能陶瓷等先进金属和无机非金属材料
多级中空酚醛树脂催化加氢纳米反应器精准制备
近日，我所催化基础国家重点实验室微纳米反应器与反应工程学创新特区研究组（05T7组）刘健研究员团队与比利时那慕尔大学、武汉理工大学苏宝连院士合作，发展了“化学剪裁”法，精准制备出了具有金属纳米颗粒空间分布的多级中空酚醛树脂纳米反应器，并表现出高效的多相催化加氢性能。细胞是一种具有多级中空结构和多组分
酚醛树脂－F44的分类、化学特性及应用介绍
指标名称; 酚醛树脂 F44一、外观:黄色或浅棕黄色高黏度液体环氧当量/(g/mol) 250 185~195环氧值/(mol/100g) 0.40 0.51~0.54可水解氯/(mol/100g)≤ 0.05 0.02无机氯/(mol/100g)≤ 0.001 0.001软化点/℃ < 10 28
日本光刻胶大厂计划提价－增幅约10％20％
据韩媒《The Elec》报道，业内人士透露，日本住友化学子公司东友精密化学（Dongwoo Fine-Chem）向韩国半导体企业表示，由于原材料和劳动力成本上涨，拟提高氟化氪（KrF）和L线光刻胶价格，增幅因产品而异，约为10%-20%。 光刻胶是半导体制作的关键材料，能够利用光化学反应，经
复旦团队实现特大规模集成度有机芯片制造
7月4日，复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程团队设计了一种功能型光刻胶，利用光刻技术，在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，达到特大规模集成度（单片集成器件数量大于221）水平，且高密度阵列可以转移到柔性衬底上，可实现仿生视网膜应用。相关研究发表于《
打破垄断－上下游协同推进－国产光刻胶谋出路
近日，光刻胶产能紧缺的新闻见诸报端。上游芯片材料供应紧张引发全球“缺芯”，使得核心材料光刻胶靠“抢”才能获得。这种情况对于光刻胶对外依存度高达90%的我国来说，无疑是雪上加霜。 “我国长期依赖国外胶的参数和工艺，不愿或没有条件调整工艺使用国产胶，这是当下最大的问题。”浙江大学高分子科学与工程
微流控芯片的加工技术
一、光刻（lithography）和刻蚀技术（etching）1.光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ，工艺如下 ：①仔细地将基片洗净;②在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ，例如铬、二氧化硅、氮化硅等;③再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它
热点回应丨冷冻电镜如何“跨界”助力芯片光刻取得新突破
光刻技术是推动芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者在《自然-通讯》上披露了他们的新发现。该团队通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方
七大芯片材料超全解析来袭，带您进一步了解半导体材料
材料和设备是半导体产业的基石，一代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 半导体材料行业又因其具有极大的附加值和特有的产业生态支
集成电路关键技术迎来黄金发展期
研讨会现场（主办方供图）8月23日，集成电路关键技术研讨会在北京举办。与会专家围绕着我国集成电路产业链条中的光刻机、软硬件质量保障等集成电路关键技术问题进行了研讨交流，以促进国内集成电路行业发展。“未来十年，集成电路关键技术迎来黄金发展期，机遇和挑战并存。”此次研讨会主持人、中国科学院自动化研究所高
2024邀您参展|中国(上海)国际光刻胶博览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
关于2024上海国际光刻胶展览会开展通知|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
接触式光刻机在涂胶工艺上有哪些特殊之处？
2020年11月25日 17:23 来源: 岱美仪器技术服务（上海）有限公司 >>进入该公司展台分享： 作为光刻工艺中zuì重要设备之一，接触式光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高接触式光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。
我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证
4月2日，记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。相关成果日前发表在《化学工程杂志》上。据介绍，这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在生产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转
UV光刻胶中的正性和负性胶的区别
最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask， 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的
半导体展/2024深圳国际半导体光刻胶展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
电子材料展|2025深圳国际光刻胶展览会「官网」
2025深圳国际电子化学与新材料展览会2025 China (Shenzhen) International Electronic Chemistry and New Materials Exhibition地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-54163212大会负
微流控技术原理及发展史（一）
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， MEM
AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性
手持光刻机如何使用
手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工艺是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到晶圆表面的光刻胶上。首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形
2024第21届北京国际光刻胶与加工设备展览会
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连