中微5纳米等离子体刻蚀机又被网媒“戴高帽”
近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。 中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节之一。刻蚀机也不是对华禁售的设备，在这个意义上不算“卡脖子”。 首先，外行容易混淆“光刻机”和“刻蚀机”。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图（就像照相机让胶卷感光），后者按这张图去刻线（就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分）。 光刻机是芯片制造中用到的最金贵的机器，要达到5纳米曝光精度难比登天，ASML公司一家通吃高端光刻机；而刻蚀机没那么难，中微的竞争对手还有应用材料、泛林、东京电子等等，国外巨头体量优势明显。 “中微的等离子刻蚀机这几年进步确实不小，”科技日报记者采访的一位从事离子刻蚀的专家说......阅读全文
等离子刻蚀机的激光干涉和预报式检测相关介绍
激光干涉 激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。 预报式检测 随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μ
等离子体/化学刻蚀设备化学刻蚀的介绍和过程
化学蚀刻（Chemical etching） 蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。 蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)及『干蚀刻』(dry etching)两类。 通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显
清华大学仪器共享平台中科院微电子－NICP刻蚀机
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希有（010-627
首台国产12英寸晶边刻蚀机在北京经开区发布
近日，北京经开区企业北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）正式发布应用于晶边刻蚀（Bevel Etch）工艺的12英寸等离子体刻蚀机Accura BE，实现国产晶边干法刻蚀设备“零”的突破，为我国先进芯片制造量身打造良率提升高效解决方案。 何谓晶边刻蚀机？在器件制造过程中，由于薄
「官网」2025深圳13届国际半导体刻蚀机展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际CMP抛光材料展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间
新型的硅深刻蚀技术
牛津仪器发布了名为PlasmaPro® Estrelas100的硅深刻蚀技术，该技术提供了工业级的领先工艺性能，可以为微机电系统(MEMS)市场提供极为灵活的解决方案。 考虑到研发领域的需要，PlasmaPro® Estrelas100提供了极致的工艺灵活性。因为硬件的设计考虑到了
等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式
SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式： 直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。 定向模式——需要非等向性刻蚀（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。 下游模式——基片可以放置在不带电托架上，以便取得
中微5纳米等离子体刻蚀机又被网媒“戴高帽”
近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。 中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节
弘塑刻蚀系统共享应用
仪器名称：刻蚀系统仪器编号：04009242产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：NitrideEtch出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,13
GCS采购牛津仪器ICP复合刻蚀系统
刻蚀、沉积和生长系统的领先供应商牛津仪器今日宣布与全球通信半导体公司（GCS）签订了PlasmaPro® System100 ICP 180复合刻蚀系统的订单。这将会扩大GCS的加利福利亚工厂在电介质和氮化镓刻蚀的能力，并将会安装更多牛津仪器提供的设备。 “GCS之所以选择牛津仪器，是因为他们
微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用
科研人员发明晶体“自刻蚀”新工艺
在半导体领域，平面内横向精准构建是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。近期，中国科学技术大学科研团队等，在新型半导体材料领域取得重要进展，首次在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑，为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径。以二维卤化物
科研人员发明晶体“自刻蚀”新工艺
在半导体领域，平面内横向精准构建是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。近期，中国科学技术大学科研团队等，在新型半导体材料领域取得重要进展，首次在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑，为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径。以二维卤化物
新型材料工艺刻蚀高性能微芯片
一块10厘米的硅晶圆，上面有使用B-EUV光刻技术制作的大型可见图案。图片来源：美国约翰斯·霍普金斯大学一个国际联合团队在微芯片制造领域取得关键突破：他们开发出一种新型材料与工艺，可生产出更小、更快、更低成本的高性能芯片。该研究结合实验与建模手段，为下一代芯片制造奠定了材料与工艺基础。相关成果发表在
新型激光刻蚀技术将普通金属变成超级材料
飞秒激光在金属表面刻蚀出的层次结构，如铂表面在扫描电子显微镜(SEM)下的图片所示 罗切斯特大学光学院的教授郭春雷研制出了一种用激光让材料具有疏水性的技术， 如图所示，水珠从被该技术处理过的样品表面上滑落。 华盛顿2015年1月20日—纽约罗切斯特大学的研究者们通过用飞秒激光脉冲轰击普通
化学刻蚀结合激光熔融抛光法加工熔石英元件
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学制造与检测中心研究团队结合化学深刻蚀和激光抛光，对精磨后的熔石英玻璃进行加工，获得具有超光滑表面和高激光损伤阈值的熔石英元件。 熔石英元件的紫外激光损伤是制约高功率激光系统发展的关键问题。熔石英玻璃的传统加工方法历经成型、研磨和机械化学抛光等工艺手
X射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用
锫钛酸铅[Pb（Ti,Zr）O3,简称 PZT]是一种新型的铁电薄膜材料,具有独特的电学,光学性能,有很广泛的应用价值。PZT 薄膜与器件的制造,均采用集成电路制造工艺。使用扫描电镜与 X 射线能谱仪对其进行工艺监控,可以得到比较满意的结果。
低杂波保护限制器热斑刻蚀机理研究取得进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所研究员徐国盛带领的研究团队，通过研究 EAST 低杂波保护限制器热斑刻蚀机理，揭示 EAST 低杂波石墨保护限制器热斑引起杂质爆发的物理机制是以化学溅射为主，因此当温度上升到碳的化学溅射增强的温度，就会出现碳杂质爆发现象，严重制约低杂波系统的高
反应离子蚀刻机共享
仪器名称：反应离子蚀刻机仪器编号：85427700产地：瑞典生产厂家：瑞典型号：PTL 520/520出厂日期：198509购置日期：198509所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278109
清华大学仪器共享平台反应离子蚀刻机
仪器名称：反应离子蚀刻机仪器编号：85427700产地：瑞典生产厂家：瑞典型号：PTL 520/520出厂日期：198509购置日期：198509所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希有（010-6278404
反应离子蚀刻机共享应用
仪器名称：反应离子蚀刻机仪器编号：85427700产地：瑞典生产厂家：瑞典型号：PTL 520/520出厂日期：198509购置日期：198509所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278109
等离子清洗机,材料表面清洗、活化、蚀刻、涂层
金铂利莱作为专业生产等离子清洗机的生产厂商，在网上经常有咨询到等离子清洗机的用途有哪些，我的行业能使用等离子清洗机吗?他在我们行业是怎么样工作的，小编总结我们等离子清洗机的一般用途来告诉大家，但是大家有需要等离子清洗机请联系我们！现在我们一起来看看。 一、金属表面去油及清洁 金属表面
格拉斯哥大学采用等离子刻蚀系统(牛津仪器公司)
英国格拉斯哥大学的詹姆斯•瓦特纳米技术中心在其已安装的牛津仪器公司刻蚀和沉积设备基础上添加了一台 PlasmaPro® System100 ICP 等离子刻蚀系统。 PlasmaPro System100 ICP 适用于多种用途下的化合物半导体材料刻蚀，如光电子、毫米波&太赫兹
清华大学仪器共享平台Gatan－离子束镀膜刻蚀系统
仪器名称：离子束镀膜刻蚀系统仪器编号：14012804产地：美国生产厂家：Gatan型号：682出厂日期：201308购置日期：201407样品要求：尺寸要求：最大尺寸直径32mm、高度10mm样品其他要求：真空下不能有挥发物。所属单位：材料学院>材料中心 >电镜中心放置地点：主楼11-127固定电
晶体“自刻蚀”新工艺实现低维光伏材料精密制备
中国科学技术大学特任教授张树辰团队联合美国普渡大学、上海科技大学的研究人员，首次在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑，为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径。1月15日，相关成果在线发表于《自然》。在半导体领域，能够在材料平面内横向精准构建异质结
903万！中国科学院半导体研究所采购科研仪器设备
分析测试百科网讯 近日，中国科学院半导体研究所采购厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台、硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机，预算金额903万元，文件详情如下：设备用途：1.厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台用于光波导器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀积，适用于波导器件中包层薄膜的沉积。2.硅基铌酸
1.88亿－华中科技大学公布2025年4至11月政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将华中科技大学2025年4至11月政府采购意向公开如下：序号项目名称数量采购需求概况预算金额（万元）预计采购日期1显微多普勒激光测振仪1台点击查看3502025年4月2氧化物单层
355nnm紫外激光器刻蚀玻璃表面，如魔术般给你惊喜
纳秒固体紫外激光器在玻璃上打标，大小误差仅0.05mm355nnm紫外激光器刻蚀玻璃表面，如魔术般给你惊喜好品质，RFH 造！客户又双叕回购紫外激光器雕刻玻璃 当光束进入玻璃之中，会在表面反射部分光，而大部分光会直接透过玻璃，使用紫外线也是一样。在紫外激光器发射紫外激光到玻璃表面时，会进行刻蚀，从
物理所率先实现基于石墨烯的各向异性刻蚀技术
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）张广宇研究组与高鸿钧研究组、王恩哥研究组合作，利用自制的远程电感耦合等离子体系统，首次成功实现了石墨烯的可控各向异性刻蚀。这种基于石墨烯的各向异性刻蚀技术是我国科学家在该研究领域中独具特色的工作，相关结果发表在【Advan
牛津仪器等离子体技术—为刻蚀、沉积提供领先设备和工艺
分析测试百科网讯 2018年11月7日，牛津仪器在西安天骊君廷酒店召开等离子体技术在刻蚀与沉积工艺中的应用研讨会，来自牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright先生为大家详细介绍了牛津仪器等离子技术部的发展情况及产品介绍。研讨会还邀请到西安电子科技大学杨凌教授、中国电子科技集