离子源的应用离子束
离子源是用以获得离子束的装置。我们知道，在各类离子源中，用得最多的是等离子体离子源，即用电场将离子从一团等离子体中引出来。这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定。属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等。另一类使用较多的离子源是电子碰撞型离子源，主要用于各种质谱仪器中。此外，离子源还有表面电离源、光致电离离子源、液态金属离子源等类型。......阅读全文
离子源的应用离子束
离子源是用以获得离子束的装置。我们知道，在各类离子源中，用得最多的是等离子体离子源，即用电场将离子从一团等离子体中引出来。这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定。属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等。另一类使用较多的离子
离子束的离子源的主要参数
①离子掺杂与离子束改性。从20世纪60年代开始，人们将一定能量的硼、磷或其他元素的离子注入到半导体材料中，形成掺杂。掺杂的深度可用改变离子的能量来控制；掺杂的浓度可通过积分离子流强度来控制。离子注入方法的重复性、可靠性比扩散法好。离子注入掺杂在半导体大规模集成电路的生产中已成为重要环节，用离子注入法
简介离子源离子束的主要参数
①离子束流强 即能够获得的有用离子束的等效电流强度，用电流单位A或mA表示。 ②有用离子百分比 即有用离子束占总离子束的百分比。一般来说，离子源给出的总离子束包括单电荷离子、多电荷离子、各种分子离子和杂质元素离子等的离子束。 ③能散度 由于离子的热运动和引出地点的不同，使得离子源给出的
叙述离子源的应用介绍
① 离子掺杂与离子束改性 从20世纪60年代开始，人们将一定量的硼、磷或其他元素的离子注入到半导体材料中，形成掺杂。掺杂的深度可用改变离子的能量来控制；掺杂的浓度可通过积分离子流强度来控制。离子注入方法的重复性、可靠性比扩散法好。离子注入掺杂在半导体大规模集成电路的生产中已成为重要环节，用离子
Zeiss－FIB聚焦离子束共享应用
仪器名称：聚焦离子束 Zeiss FIB仪器编号：16005806产地：德国生产厂家：蔡司型号：Auriga出厂日期：201506购置日期：201603所属单位：材料学院>材料中心 >电镜中心放置地点：主楼东配楼11-112固定电话：固定手机：固定email：联系人：王永力（010-62773015
聚焦离子束技术（FIB）技术应用
聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离
聚焦离子束在ITO表面缺陷的应用
1. 引言失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端IC位置，失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。 图1.ITO表面缺陷SEM观察图 2. 试验与结果 图2.失效位置截面观察图图3.正常位置截面观察图图4.失效位置EDS测试谱图图图5.正常位置EDS测试谱图图
聚焦离子束（FIB）原理及其在失效分析中的应用
随着集成电路技术的不断发展，其芯片的特征尺寸变得越来越小，器件的结构越来越复杂，与之相应的芯片工艺诊断、失效分析、器件微细加工也变得越来越困难，传统的分析手段已经难以满足集成电路器件向深亚微米级、纳米级技术发展的需要。FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成
加速离子束的装置
从离子源获得的离子束的能量一般从几百电子伏到几万电子伏。因为用高引出电压方式获得较高能量的离子束受到击穿的限制，所以必须使离子在电场和磁场中加速,这类装置叫做加速器(见粒子加速器) 使用各种加速器可以使离子获得很高的能量（如几百吉电子伏），也可以使离子减速，以获得能量较低的（如几十电子伏）但流强
聚焦离子束系统知多少？
纳米科技是当今国际上的一个热点。纳米测量学在纳米科技中起着信息采集和分析的不可替代的重要作用，纳米加工是纳米尺度制造业的核心，发展纳米测量学和纳米加工的一个重要方法就是电子束，离子束技术。近年来发展起来的聚焦离子束纳米加工系统用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，结合扫描电子显微镜实时观察，开辟了从
北京埃德万斯离子束刻蚀机共享应用
仪器名称：离子束刻蚀机仪器编号：07001234产地：中国生产厂家：北京埃德万斯公司型号：LKJ-ID-150出厂日期：200608购置日期：200701所属单位：物理系>离子束刻蚀实验室放置地点：理科楼C-207固定电话：62772764固定手机：13552113513固定email：jiangl
转荷型和溅射型负离子源的介绍
1、转荷型负离子源 利用正离子束转荷产生负离子的装置。正离子束与固体物质表面相互作用，或通过气体靶俘获电子就能转化成负离子束。正离子束可以由小型双等离子体离子源提供。如果采用高频离子源，只要把引出电极的孔道加长，就能得到负离子束。 2、溅射型负离子源 用正离子束去轰击工作物质，就能得到该种
什么是离子源？
离子源（英文名称：Ion source）是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。 气体放电、电子束对气体原子(或分子)的碰撞，带电粒子束使
聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图
聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结
聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图
中国科学家孙良亭获首届瑞查得杰勒奖
在美国芝加哥日前举行的第18届国际电子回旋共振（ECR）离子源会议上，中国科学院近代物理研究所副研究员孙良亭因其在全永磁ECR离子源技术方面的杰出贡献，获得首届“瑞查得杰勒奖”。 ECR离子源是产生高电荷态强流离子束最有效的装置，在加速器、核物理、原子物理、表面物理及半导体工业等领域有很广泛的应用。
离子束切割抛光仪
离子束切割抛光仪是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，于2018年5月23日启用。 技术指标 抛光角度: +10° 到 -10° ，每个离子枪可独立调节 离子束能量: 100 V 到 8.0 kV 离子束流密度: 10 mA/cm2 峰值 抛光速度: 300 μm/h（8.0 kV条件下对于
聚焦离子束（FIB）技术介绍
1.引言 随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束（FIB）技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目
DART离子源
由美国J. Laramee和R. Cody（美JEOL公司）于2005年发明，现由IonSense公司商品化生产、制造和销售。获得2005年Pittcon大奖。 DART已广泛应用于药物发现与开发（ADME）、食品药品安全控制与检测、司法鉴定、临床检验、材料分析、天然产品品质鉴定、及相关化学和
漫谈离子源
样品的离子化是进行质谱分析的重要步骤，如何高效地进行离子化对质谱仪的灵敏度、分辨率等有着重要的影响。 离子源是对样品进行电离的场所，离子源的主要功能是把中性的原子（或分子）电离成离子，并形成具有一定能量的离子束。不同的质谱仪根据分析用途的不同配备有不同的离子源，这些离子源由于电离方式不同，具有不同的
ICP离子源
使用氩气作为等离子气的原因：氩的第一电离能高于绝大多数元素的第一电离能(除He、F、Ne外)，且低于大多数元素的第二电离能(除Ca、Sr、Ba等)。因此，大多数元素在氩气等离子体环境中，只能电离成单电荷离子，进而可以很容易地由质谱仪器分离并加以检测。ICP离子源中的物质1） 已电离的待测元素：As
兰州重离子加速器首次实现离子源脉冲束注入运行
1月17日至22日，中国科学院近代物理研究所加速器运行团队，利用超导离子源SECRAL首次为兰州重离子加速器（HIRFL）提供了约120电子微安的40Ar12+脉冲束（图1），并成功注入HIRFL储存环CSR（图2），实现了束流的加速和累积（图3），累计运行超过48小时。 Afterglow工
质谱离子源的作用
离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是 一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。 气体放电、电子束对气体原子(或分子)的碰撞，带电粒子束使工作物质溅
质谱离子源的作用
离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是 一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。 气体放电、电子束对气体原子(或分子)的碰撞，带电粒子束使工作物质溅
东方超环中性束注入系统成功引出3兆瓦离子束
近日，中科院合肥物质科学研究院等离子体所承担的大科学工程“东方超环”（EAST）辅助加热中性束注入系统（NBI）兆瓦级强流离子源分别完成了氢离子束功率3兆瓦（MW）、脉冲宽度毫秒500（ms）的高能量离子束引出实验，以及束功率1MW、脉冲宽度4s的长脉冲离子束引出实验。本轮实验获
离子源加热的问题
现象： 今天我更换5975的离子源，换上一个清洗过的离子源，刚开始抽真空时便嗅到一股强烈的塑料烧焦的味道从MSD中传出，打开instrument control界面时发现离子源温度显示为511摄氏度随后离子源报错。放真空后重新安装离子源后，再抽真空又能嗅到强烈的焦味，检查真空状态时仍显示离
质谱仪离子源的清洗
1、降低接口温度、离子源温度、四极杆温度（以四极杆质谱仪为例），关闭质谱仪电源。 2、打开卸压阀，缓慢卸压到常压。 3、打开离子源舱门（此步骤开始最好佩带口罩以及不掉毛手套）。 4、使用专用工具按照拆卸步骤将离子源整体取出放置在的清洗台面。 5、使用专用工具将离子源各部件一一拆开，分
质谱仪离子源的维护
离子源的维护离子源的维护主要是离子源的清洗。这里以目前较为常用的ESI离子源为例，简单阐述其清洗要点，ESI离子源的清洗非常重要一般情况下，每隔几天就需对离子源进行一次清洗。各个仪器厂家的ESI离子源虽然存在一定差别，但清洗的方法却大同小异。首先是离子源的拆卸，每个仪器厂商的离子源耦合到质谱上的方式
关于电子轰击离子源的机理介绍
极面约0.2特斯拉的磁铁如NS相吸放置，离子束通过的中，位置具有较大的场强，由此引起离子束的质量歧视效应（在到选出口缝前由于电子束聚焦磁铁的影响，离子束已按质荷比偏离，因而输出的离子流与质量有关）。 在性能要求很严的离子源中，在设计和装配时应充分考虑这一位移量和出射角的变化，用机械方法纠正。有