光刻垄断难解，技术难在哪？
经常听说，高端光刻机不仅昂贵而且还都是国外的，那么什么是光刻机呢？上篇我们聊了从原材料到抛光晶片的制成过程，今天我们就来聊聊什么是光刻～第一步骤的晶体生长机晶片的制造，我们上篇已经聊过了。今天我们要聊的是光刻，我们先简单聊一聊硅的氧化（热氧化），刻蚀的话我们后面再讲。硅的氧化其中包含了在分立器件和集成电路制造过程中遇到的四类薄膜：热氧化膜、电介质膜、多晶硅膜及金属膜。图中，栅氧化层和场氧化层都是采用热氧化的方法生成，因为只有热氧化法能够提供最低界面陷阱密度的高质量氧化层。热氧化半导体的氧化有很多方法，比如热氧化法、电化学阳极氧化法和等离子化学汽相淀积法。当中，热氧化法是硅基器件制造中最常见也是最重要的方法和关键工艺。组成包括：一个电阻加热氧化炉，一个圆筒型熔融石英管。开槽的石英舟放在石英管中，石英槽用来垂直摆放硅片，一个注入口用来注入高纯度干燥氧气或者高纯水蒸气（即干氧氧化法和湿氧氧化：两者反应方程式不一样，干氧氧化生成的氧化层......阅读全文
光刻机是什么东西
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常
光刻机的紫外光源
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光：g线：436nm 紫外光（UV），i线：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。
光刻技术首次绘出银纳米结构
德国柏林亥尔姆茨材料和能源研究中心与联邦材料测试与研究机构合作，首次在银材料底层上完成光刻纳米结构，为未来光计算机数据处理、新型电子器件制造开辟了新的途径。这项成果刊登在美国化学学会的《应用材料和界面》杂志上。 要想在材料表面获得精细结构图样，最佳选择是采用电子显微镜扫描技术，利用电子束在其
光刻机的对准系统
制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊ZL的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计ZL技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。 对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜
光刻机的三大种类
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。 1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面； 2.硬接
光刻机各个结构的作用
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。 光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。 能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。 光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。 遮光器：在不需要曝
光刻机投影式曝光分类
扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸； 步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～
光刻机工作原理和组成
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准
光刻机的简介和分类
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
光刻机移动精度怎么控制
光刻机移动精度要在雕刻的过程中，晶圆需要被快速移动,每次移动10厘米来控制。这种误差级别相当于眨眼之间端着一盘菜从北京天安门冲到上海外滩，恰好踩到预定的脚印上，菜还保持端平不能洒。这种方法也叫视频图像处理对准技术，是指在光刻套刻的过程中，掩模图样与硅片基板之间基本上只存在相对旋转和平移，充分利用这一
电子束光刻的特点
电子束曝光是用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射，使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图
极紫外光刻新技术问世
据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和
去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810
美开发出热蘸笔纳米光刻技术
据美国物理学家组织网11月7日报道，美国科学家首次厘清了温度在蘸笔纳米光刻技术中的作用，据此研制出的热蘸笔纳米光刻技术能在物质表面构造大小为20纳米的结构。借助这一技术，科学家们能廉价地在多种材料表面构造和种植出纳米结构，用以制造电路和化学传感器，或者研究药物如何依附于蛋白质和病
我国纳米光刻技术研究取得突破
日前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。 据相关负责人介绍，传统的微光刻工艺采用尽可能
光刻机为什么不用x射线
因为x射线具有穿透力，而穿透力产生的折射会浪费大量的能量，致使光刻机效率低下，甚至无法工作，所以不用x射线。
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
DRYTEK去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
电子束光刻的基本结构
电子束曝光的基本结构，从上往下依次为：电子枪、电子枪准直系统、电磁透镜、消像散器、偏转器、物镜、光阑（Aperture）、电子探测器、工作台（stage）以及真空泵（离子泵、分子泵、机械泵）。 电子枪：高分辨率的热场发射，配有高压，电子束的能量通常在10~100KeV。 电子枪准直系统：对电
高精度掩膜对准光刻机
高精度掩膜对准光刻机是一种用于农学、生物学、化学、物理学领域的分析仪器，于2017年11月7日启用。 技术指标 支持4英寸晶圆；曝光波长：350-450nm；曝光灯功率：350W；分辨率：优于0.8mm（光刻胶厚度1微米时）；套刻精度：0.5mm；光强均匀度：优于±2％；更换汞灯后及汞灯全寿
光刻机的定位格栅是什么
时光刻机中的一项核心技术，应用于对半导体衬底进行成像的光刻技术，主要用来确定位置。在目前高端光刻机晶圆台的亚纳米级定位需求中，光栅干涉测量具有较大优势，测量分辨率可达17pm，长期测量稳定性可达0.22nm，采用先进的二维平面光栅可以实现空间六自由度测量，是14nm及以下光刻工艺制程的重要技术路线。
研究人员提出新型混合光刻技术
近日，清华大学深圳国际研究生院副教授李星辉课题组在分焦面超像素阵列光刻制造领域取得新突破，为中红外偏振成像系统的核心器件制备提供了新方案。相关研究成果发表于《极端制造》。分焦平面阵列因其具备高集成度、高鲁棒性和高动态适应性等优势，在偏振成像领域受到广泛关注。制造分焦平面阵列的关键，在于制备阵列化的各
巧用沾笔纳米光刻技术获得超材料
沾笔纳米光刻工艺示意图 你或许没有想过将坚硬的金属或半导体与柔软的有机物或生物产品结合起来会是何种情景，不过美国科学家可以告诉你的是，他们获得了自然界从没有见过的混合材料，而这些混合材料在医学和制造业中将具有惊人的应用前景。 美国佛罗里达州立大学综合纳米研究所（INSI）的科学家
光刻机水冷机组定时保养知识须知
按时进行光刻机水冷机组的维修保养，而对于很多企业而言，如果光刻机水冷机组缺少必要的保养与维护，意味着光刻机水冷机组后期运行故障率非常高。 在实际运行光刻机水冷机组的时候，为保持光刻机水冷机组运行靠谱与稳定，建议在使用半年时间之后，需要针对光刻机水冷机组进行面面的清洗。尤其对于容易产生积尘污垢的位
佳能PLA500光刻机共享应用
仪器名称：佳能光刻机仪器编号：80424600产地：日本生产厂家：日本型号：PLA-500出厂日期：198004购置日期：198004所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,1
中紫外直接光刻设备研制成功
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队在国内研制成功。该设备采用特有的高均匀、高准直中紫外照明技术，结合光敏玻璃材料，实现基于光敏玻璃基底的微细结构直接加工，能够极大简化工艺流程，将有力促进光敏玻璃微细结构的光刻工艺技术“革命”，目前在国内尚未见有此类产
光刻机冷却循环装置常见系统故障
1、回液：对于使用膨胀阀的制冷系统，回液与膨胀阀选型和使用不当密切相关。膨胀阀选型过大、过热度设定太小、感温包安装方法不正确或绝热包扎破损、膨胀阀失灵都可能造成回液。对于使用毛细管的小制冷系统而言，加液量过大会引起回液。蒸发器结霜严重或风扇故障时传热变差，未蒸发的液体会引起回液。温度频繁波动也会引
MA6双面光刻机共享
仪器名称：MA6双面光刻机仪器编号：00011041产地：德国生产厂家：Karl Suss型号：MA6出厂日期：199907购置日期：200010所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
2022年新挑战——光刻机、网络安全......
2月15日，中国工程院信息与电子工程学部、中国信息与电子工程科技发展战略研究中心在京发布“中国电子信息工程科技发展十三大挑战（2022）”。发布会由中国工程院院士、信息与电子工程学部主任卢锡城主持。 中国工程院党组成员、副院长陈左宁院士表示，中国工程院作为中国工程科学技术界最高荣誉性、咨询性学