弘塑刻蚀系统共享应用
仪器名称：刻蚀系统仪器编号：04009242产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：NitrideEtch出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,13910326054,413113259@qq.com）分类标签：微纳加工 05080713技术指标：工艺设定温度：20-25度混合化学药剂溶液：NH4F+HF溶液槽容量：10L知名用户：校内用户：清华大学化学系、物理系、材料系、环境系、核研院、航院、精仪系、机械系、微电子所、电子系、医学院、工物系、热能系、力学系、建筑系、水利系、土木系、电机系、基础工业训练中心等二十余个院系。校外用户：北京大学、中科院国家纳米中心、半导体所、北航，北理工，中科院物理所、北科大、北化工、北林大、地质大学、成都电子科技大学、上海交通大学、同济......阅读全文
爱发科ICP刻蚀机F共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
关于等离子刻蚀机装片的相关介绍
等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。 将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下： 热探针和N型半导体接触时，传导电
等离子刻蚀机的光学发射检测技术介绍
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。 光学发射 光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终
新型激光刻蚀技术将普通金属变成超级材料
飞秒激光在金属表面刻蚀出的层次结构，如铂表面在扫描电子显微镜(SEM)下的图片所示 罗切斯特大学光学院的教授郭春雷研制出了一种用激光让材料具有疏水性的技术， 如图所示，水珠从被该技术处理过的样品表面上滑落。 华盛顿2015年1月20日—纽约罗切斯特大学的研究者们通过用飞秒激光脉冲轰击普通
化学刻蚀结合激光熔融抛光法加工熔石英元件
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学制造与检测中心研究团队结合化学深刻蚀和激光抛光，对精磨后的熔石英玻璃进行加工，获得具有超光滑表面和高激光损伤阈值的熔石英元件。 熔石英元件的紫外激光损伤是制约高功率激光系统发展的关键问题。熔石英玻璃的传统加工方法历经成型、研磨和机械化学抛光等工艺手
详解刻蚀清洗机的结构和工作原理（二）
三、清洗设备干燥方式通过去离子水清洗后， 需要在最短的时间里把晶圆表面的水分去除， 而且去除后晶圆的外表不要有任何水痕， 否则会降低晶圆的良率。 半导体生产上常采用以下几种干燥方式：旋转甩干、热氮气烘干、异丙醇慢提拉干燥及 Marangoni干燥。a．旋转甩干目前对晶圆的清洗以及脱水处理方式
详解刻蚀清洗机的结构和工作原理（一）
湿法刻蚀是利用相应的刻蚀液先将晶圆要刻蚀的膜进行分解， 再把其变为可溶性的化合物并去除，那湿法刻蚀清洗机的结构和工作原理是什么？今天就带大家瞧一瞧。一、刻蚀清洗设备分类湿法刻蚀清洗机按清洗的结构方式可以分为槽式批量清洗和单片清洗机两种类型。而槽式清洗又可分为半自动清洗和全自动清洗两种机台。二、清洗设
X射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用
锫钛酸铅[Pb（Ti,Zr）O3,简称 PZT]是一种新型的铁电薄膜材料,具有独特的电学,光学性能,有很广泛的应用价值。PZT 薄膜与器件的制造,均采用集成电路制造工艺。使用扫描电镜与 X 射线能谱仪对其进行工艺监控,可以得到比较满意的结果。
北京埃德万斯离子束刻蚀机共享应用
仪器名称：离子束刻蚀机仪器编号：07001234产地：中国生产厂家：北京埃德万斯公司型号：LKJ-ID-150出厂日期：200608购置日期：200701所属单位：物理系>离子束刻蚀实验室放置地点：理科楼C-207固定电话：62772764固定手机：13552113513固定email：jiangl
低杂波保护限制器热斑刻蚀机理研究取得进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所研究员徐国盛带领的研究团队，通过研究 EAST 低杂波保护限制器热斑刻蚀机理，揭示 EAST 低杂波石墨保护限制器热斑引起杂质爆发的物理机制是以化学溅射为主，因此当温度上升到碳的化学溅射增强的温度，就会出现碳杂质爆发现象，严重制约低杂波系统的
等离子刻蚀机的激光干涉和预报式检测相关介绍
激光干涉 激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。 预报式检测 随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μ
清华大学仪器共享平台中科院微电子－NICP刻蚀机
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希有（010-627
首台国产12英寸晶边刻蚀机在北京经开区发布
近日，北京经开区企业北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）正式发布应用于晶边刻蚀（Bevel Etch）工艺的12英寸等离子体刻蚀机Accura BE，实现国产晶边干法刻蚀设备“零”的突破，为我国先进芯片制造量身打造良率提升高效解决方案。 何谓晶边刻蚀机？在器件制造过程中，由于薄
物理所率先实现基于石墨烯的各向异性刻蚀技术
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）张广宇研究组与高鸿钧研究组、王恩哥研究组合作，利用自制的远程电感耦合等离子体系统，首次成功实现了石墨烯的可控各向异性刻蚀。这种基于石墨烯的各向异性刻蚀技术是我国科学家在该研究领域中独具特色的工作，相关结果发表在【Advan
「官网」2024深圳12届国际半导体刻蚀机展「半导体展会」
「官网」2024深圳12届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2024年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
牛津仪器等离子体技术—为刻蚀、沉积提供领先设备和工艺
分析测试百科网讯 2018年11月7日，牛津仪器在西安天骊君廷酒店召开等离子体技术在刻蚀与沉积工艺中的应用研讨会，来自牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright先生为大家详细介绍了牛津仪器等离子技术部的发展情况及产品介绍。研讨会还邀请到西安电子科技大学杨凌教授、中国电子科技集
355nnm紫外激光器刻蚀玻璃表面，如魔术般给你惊喜
纳秒固体紫外激光器在玻璃上打标，大小误差仅0.05mm355nnm紫外激光器刻蚀玻璃表面，如魔术般给你惊喜好品质，RFH 造！客户又双叕回购紫外激光器雕刻玻璃 当光束进入玻璃之中，会在表面反射部分光，而大部分光会直接透过玻璃，使用紫外线也是一样。在紫外激光器发射紫外激光到玻璃表面时，会进行刻蚀，从
等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式
SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式： 直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。 定向模式——需要非等向性刻蚀（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。 下游模式——基片可以放置在不带电托架上，以便取得
中微5纳米等离子体刻蚀机又被网媒“戴高帽”
近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。 中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节
锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术新突破
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科
聚焦离子束（FIB）直写技术研究
现代半导体制造业迅速发展，对产品的质量要求越来越高，对相关的微分析技术的要求也越来越高。除了IC 制造以外，纳米结构在新元件上应用越来越多，特别是纳米光子和纳米光学。聚焦离子束（Focused Ion Beam，FIB）系统是在常规离子束和聚焦电子束系统研究的基础上发展起来的，除具有扫描电子显微镜具
聚焦离子束在LiNbO_3及KTP等晶体上的亚微米刻蚀研究
正聚焦离子束(focused ion beam,简写FIB)是一个微纳加工和观察分析设备。在强电场下金属离子溢出液态离子源,形成束流,经光圈限束、加速、聚焦、象散校正、偏转,打到样品指定点上。利用其溅射效应,FIB可用于样品表面亚微米尺寸的刻蚀,控制其扫描路径可以在无掩模下刻蚀任意正聚焦离子
物理所二维胶体晶体刻蚀法制备石墨烯纳米带研究取得进展
最近，中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理国家重点实验室白雪冬研究组的王文龙副研究员及其合作者在石墨烯纳米带的可控制备研究方面取得重要进展，相关工作发表在Adv. Mater. 23，1246 (2011) 上。 石墨烯（Graphene）自2004年发
福建物构所将二次硫化和酸刻蚀获得钠离子电池负极材料
中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室研究员张健领导的无机合成化学团队与博士张华彬合作，采用二次硫化（溶剂热硫化和高温煅烧硫化）和酸刻蚀的策略，将锌、钼基的沸石型咪唑骨架（HZIF-Zn/Mo）转变为由钼缺陷丰富的超薄二硫化钼纳米片组装的中空的微立方体框架（HMF-MoS2）。福建物
集成微泵式微流控芯片关键技术的研究
本课题以平面型结构的微型无阀泵和集成微型无阀泵式微流控芯片为研究对象，研究了高刻蚀速率与高表面质量兼具的玻璃湿法刻蚀工艺，创新性的建立了非超净环境下玻璃高效键合的工艺路线，同时，系统地研究了Micro—DPIV微流场可视化检测技术中的显微拍摄、激光照明方式、纳米级示踪粒子布朗运动误差消除、跨帧技术以
聚焦离子束加工中的主要缺陷
聚焦离子束(FIB)是一种微纳米加工技术，其基本原理与扫描电子显微镜(SEM)类似，采用离子源发射的离子束经过加速聚焦后作为入射束，高能量的离子与固体表面原子碰撞的过程中可以将固体原子溅射剥离，因此，FIB更多的是被用作直接加工微纳米结构的工具。结合气体注入系统(GIS)，FIB可以辅助进行化学气相
印度知名研究机构订购牛津多台设备
牛津仪器等离子技术部是刻蚀、沉积和生长设备的领导者，近期获得位于印度班加罗尔的印度科学院（IISc）纳米电子研究中心（CEN）采购三台等离子刻蚀与沉积设备的订单。这三台System100等离子刻蚀与沉积设备将安装在该纳米电子研究中心（CEN）先进的纳米电子设备无尘室内，其中两台是PlasmaPr
一文盘点当前微纳加工技术
微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术，涉及领域广、多学科交叉融合，其最主要的发展方向是微纳器件与系统（MEMS和NEMS）。微纳器件与系统是在集成电路制作上发展的系列专用技术，研制微型传感器、微型执行器等器件和系统
微流控技术原理及起源
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。 MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， M
微流控技术起源及原理解析
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， MEM