中科院之声：高通量薄膜制备及原位表征系统获创新进展
材料对于推动生产力发展和社会进步起着举足轻重的作用。关键材料的研发周期更是直接决定了相关领域的发展进程。随着科技发展，对材料的功能和性能要求越来越高。传统材料研发手段也越来越难以满足现代社会生产发展的需求。以高温超导材料为例，超导转变温度高的材料往往组分结构十分复杂。随着组分增多，获得精确的组分依赖的相图的工作量呈几何级数增长。另外，采用传统的实验手段很难精确合成并重复获得某个特定的组分，而这往往是研究量子相变，破解高温超导机理的关键。 材料基因组技术的出现为快速构建精确的材料相图，缩短材料的研发周期带来了希望。组合薄膜制备技术作为材料基因组核心技术之一经历了三个发展阶段，即共磁控溅射技术、阵列掩膜板技术和组合激光分子束外延技术。目前，组合薄膜生长往往采用往复平行位移掩膜板的方式，这样不可避免造成累积误差，直接影响到薄膜制备过程中组分控制的精度。此外线性掩膜板反复变向及加减速操作也会加速机械部分磨损，降低系统稳定性。另一方......阅读全文
新一代高通量薄膜制备及原位表征技术研发新进展
材料对于推动生产力发展和社会进步起着举足轻重的作用。关键材料的研发周期更是直接决定了相关领域的发展进程。随着科技发展，对材料的功能和性能要求越来越高。传统材料研发手段也越来越难以满足现代社会生产发展的需求。以高温超导材料为例，超导转变温度高的材料往往组分结构十分复杂。随着组分增多，获得精确的组分
中科院之声：高通量薄膜制备及原位表征系统获创新进展
材料对于推动生产力发展和社会进步起着举足轻重的作用。关键材料的研发周期更是直接决定了相关领域的发展进程。随着科技发展，对材料的功能和性能要求越来越高。传统材料研发手段也越来越难以满足现代社会生产发展的需求。以高温超导材料为例，超导转变温度高的材料往往组分结构十分复杂。随着组分增多，获得精确的组分
原位变温XRD表征
Bruker的Advanced D8上配备了变温台，而且是能通入反应气体，在基本模拟反应条件下观察一些催化反应的变化，其中XRD对应于催化剂结构的变化，而出来的气体通过GC等分析手段来分析温度变化对于催化性能的影响。 高温下催化剂通常有多种变化，我就我了解说几个，一个是非晶态催化剂在高温下会有相变化
无扩散阻挡层Cu(C)和Cu(Ti)薄膜的制备及表征
随着超大规模集成电路中器件和互连线尺寸的不断减小,厚度薄且具有良好的阻挡性能及电学性能的扩散阻挡层的制备变得越来越具有挑战性,必须要引进新材料和新工艺来解决这一问题,因此向Cu膜中直接加入少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构成为了该领域的重要研究内容。本论文采用磁控溅射在单晶Si(100)基体
无扩散阻挡层Cu(Sn),Cu(C),Cu(Sn,C)薄膜的制备和表征
随着集成电路的发展特征尺寸不断下降,制备厚度薄且具有良好热稳定性的扩散阻挡层变得越来越具有挑战性。因此在Cu膜中直接添加少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构受到了广泛关注。本论文采用磁控溅射方法,制备了无扩散阻挡层Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了单独掺杂大原子Sn,小原
无扩散阻挡层Cu(Sn),Cu(C),Cu(Sn,C)薄膜的制备和表征
随着集成电路的发展特征尺寸不断下降,制备厚度薄且具有良好热稳定性的扩散阻挡层变得越来越具有挑战性。因此在Cu膜中直接添加少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构受到了广泛关注。本论文采用磁控溅射方法,制备了无扩散阻挡层Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了单独掺杂大原子Sn,小原
纳米薄膜的制备方法
针对有机半导体粉料和金属粉料蒸发温度低的特点,设计并制作了新型低温辐射式薄膜加热蒸发器,通过对有机粉料的蒸发及溅射时样片衬底的加热实验,取得了良好效果,通过观测装置,可以观测到,薄膜监控测厚仪未能反映出的10纳米薄膜厚度。其制作成本低,加热效率高,同时又提高了设备功效;是一种多功能辐射式加热器,在物
酞菁铁（Ⅱ）的制备及表征
武汉大学化学与分子科学学院 王小尚 200331050033 摘要： 通过制备Fe(OH)2·4H2O制备酞菁铁（Ⅱ）, 并对产品进行纯化，通过紫外及红外的方法分析确定其组成[微软用户1] 关键字：酞菁铁（Ⅱ）；制备；纯化；红外；紫外分光法[微软用户2] 1．前言 酞菁类化合物
酞菁铁（Ⅱ）的制备及其表征
魏丹清武汉大学化学与分子科学学院2012级摘要：本实验以邻苯二甲酸酐、FeCl2．4H2O（自制）、尿素为原料，以钼酸铵作为催化剂，采用固相熔融法合成FePc，用真空升华提纯产物。纯产物经红外及紫外可见光谱表征。关键词：固相熔融法 提纯 表征0引言：酞菁类化合物可看作是四氮杂卟啉的衍生物(如图1
TEM制样：薄膜制备技术
薄膜制备技术样品要求：1、薄膜应对电子束“透明”，制得的薄膜应当保持与大块样品相同的组织结构。2、薄膜得到的图像应当便于分析，所以即使在高压电子显微镜中也不宜采用太厚的样品，减薄过程做到尽可能的均匀．薄膜应具有适当的强度和刚性 。3、薄膜制备方法必须便于控制，具备足够的可靠性和重复性。样品制备:1、
如何用原位红外表征催化剂的酸性
红外一般只是定性分析,可以分析酸的类型酸强度的大小也可以根据处理温度的高低来进行比较,不过一般用NH3-TPD可以比较酸强度大小催化剂的量还要根据你的透光度来看了,如果透光度好量可以大一些,我们是直径13mm的自撑片量在10-15mg之间
薄膜材料能不能用AFM表征导电性能
可以测导电原子力C-AFM，电流图可以反映电导率
薄膜材料能不能用AFM表征导电性能
可以测导电原子力C-AFM，电流图可以反映电导率
原位合成芯片的制备方法介绍
方法一Affymetrix公司将光平版印刷技术(photolithographicapproach)运用到DNA合成化学中，利用固相化学、光敏保护基及光刻技术得到位置确定、高度多样性的化合物集合。该法利用光敏保护基来保护碱基单位的5’羟基。第一步利用光照射使固体表面上的羟基脱保护，然后固体表面与光敏
关于薄膜蒸发制备方法的介绍
使液体形成薄膜而进行的蒸发叫作薄膜蒸发。薄膜蒸发能加速蒸发的原理是在减压条件下，液体形成薄膜而具有极大的汽化表面积，热量传播快而均匀，没有液体协压的影响， 能较好地防止物料过热现象。它具有使提取液受热温度低、时间短、蒸发速度快、可连续操作和缩短生产周期等优点。薄膜蒸发的进行方式有两种： 一是使浓
薄膜蒸发制备方法的原理简介
欲蒸发的提取液经输液管．通过流量计进入预热器预热后，自预热器上部流出，并由底部进入列管蒸发器，被蒸汽加热即剧烈沸腾并形成大结泡沫；泡沫与水 蒸气的混合物自汽沫出口进入气液分离桥中，将汽液分离成浓缩液和蒸汽； 浓缩液经分离器下出 口阀流入浓缩液储罐，水蒸气经二次蒸汽导管进入预热器的夹层中供预热提取
原位合成的基因芯片制备技术
生物芯片制备中材料的固定方式主要包括原位合成法和点样法两种，点样法又分为接触式点样法和非接触式点样法。原位合成法主要用于基因芯片的制备，点样法可用于基因芯片和蛋白质芯片的制备。细胞芯片主要是通过细胞本身的贴壁生长来完成固定。组织芯片通过一些黏性溶剂(如石蜡)使组织切片固定在载体上。某些微流体芯片不需
荧光原位杂交（FISH）探针的制备
实验概要本实验介绍了荧光原位杂交（FISH）探针的制备原理及技术。实验原理染色体荧光原位杂交始于传统的细胞遗传学和DNA技术的结合，这种结合开创了一门新的学科——分子细胞遗传学。其基础是Southern blot原理，以半抗原如生物素、地高辛间接标记或以荧光素直接标记的已知核酸分子为探针，探针和
薄膜蒸发制备试验的操作方法
操作过程： 浸提液经管道过滤器过滤后进入平衡捕。平衡糟内装有两个浮阀， 上而一个阀通入挝提液。能保持进入蒸发苦苦的流量稳定：下面一个阀是安全装置，一旦料液中断，槽内液位下降，阀门自动打开。 自来水就会流入精内．保证蒸发器主机不会因断料液而造成蒸干和结焦现象。进入蒸发主机的料液流量通过进料鲸杆泵予
透射电镜薄膜样品的制备
薄膜样品的制备 块状材料是通过减薄的方法制备成对电子束透明的薄膜样品。制备薄膜一般有以下步骤： （1）切取厚度小于0.5mm 的薄块。 （2）用金相砂纸研磨，把薄块减薄到0.1mm-0.05mm 左右的薄片。为避免严重发热或形成应力，可采用化学抛光法。 （3）用电解抛光，或离子轰击法进行
原位合成应用于复合材料制备
传统复合材料制备方法有粉末冶金法、喷射成型法和各种铸造技术即模压铸造、流变铸造和混砂铸造等。所有这些方法是将事先制备好的增强相加入处于熔融状态或粉末状态的基体材料中,于是传统的增强相被称为外加的。外加法制备的复合材料存在增强体颗粒尺寸粗大、热力学不稳定、界面结合强度低等缺点。为了克服这些缺点,近年来
原位合成应用于生物芯片制备
在生物基因工程领域，生物芯片制备中材料的固定方式主要包括原位合成法和点样法两种，点样法又分为接触式点样法和非接触式点样法。原位合成法主要用于基因芯片的制备，点样法可用于基因芯片和蛋白质芯片的制备。细胞芯片主要是通过细胞本身的贴壁生长来完成固定。组织芯片通过一些黏性溶剂(如石蜡)使组织切片固定在载体上
羊水细胞染色体制备方法（原位法）
细胞培养1. 将羊水（约20ml）转移到无菌的离心管中，1000rpm离心10分钟；2. 去除上清液，用于其它分析，保留细胞悬液约0.5~1ml，用培养基混匀到2~2.5ml左右；3. 将细胞悬液平分到3只Chromslide培养皿中；4. 培养24/48小时后，向每只Chromslide培养皿中加
科学家研制出新型超快光脉冲原位表征技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514757.shtm近日，华南理工大学教授虞华康/李志远团队联合美国约翰斯·霍普金斯大学教授Jacob Khurgin，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员林锦添/程亚团队研发了一种可集成的新型超快光
长春应化所发明钯纳米薄膜和钯/铂纳米薄膜制备方法
钯基纳米材料作为一种重要的催化剂，已成为有机合成、燃料电池等领域的研究热点，并逐渐被工业生产所重视。随着纳米材料的发展，将一维的纳米材料自组装成为可独立存在的二维的纳米薄膜引起了研究者强烈的兴趣。 目前常用的制备方法往往耗时较长，或耗时不长，但样品质量差。因此寻找一个快速制备高质量的可独立的钯
薄膜蒸发制备试验的原理和设备介绍
利用高速旋转形成的离心力，将液体分散成均匀部膜而进行蒸发的叫作离心薄膜蒸发。离心薄膜蒸发器是一利用新型高效蒸发设备。它利用离心分离和薄膜蒸发两种原理，在离心力作用下。具有液膜厚度薄（0 . 1 mm ） 、传热系数可高达4 000 kCa/ mz · h · ℃、设备体积小、蒸发强度大、浓缩比高
大连化物所制备出新型手性光子防伪薄膜
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员卿光焱团队设计并制备了一种环境友好、多模式、可转换的手性光子薄膜。该研究为先进防伪材料的设计提供了新思路。 早在中国古代，防伪标签（如水印、指纹和笔迹）就已广泛应用于文化、经济等领域。创新的防伪技术对于市场的稳定、医疗健康和社会可持续发展等具有重要意义。
UO2表面铝薄膜生长过程的AES原位研究
室温下在俄歇电子能谱(AES)分析仪超高真空室中,通入适量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+枪溅射铝箔,使铝沉积在UO2表面形成Al薄膜。沉积过程中实时采集UO2表面的AES谱和低能电子损失谱(EELS),原位分析铝薄膜在UO2表面的生长过程和膜间界面反应。研究表明,室温下,UO2
苏州纳米所硫化锂电池原位电镜表征等研究获进展
随着社会和科技的发展，人类对电化学储能技术的需求日益增加，新兴储能系统——锂硫电池具有理论容量高、成本低、环境友好等优点，备受国内外研究者的关注。而研发高容量锂硫电池正极材料，对推动新能源动力汽车、便携式电子设备等领域的发展至关重要。 硫化锂（Li2S）材料理论容量高达1166 mA h g-
基于同步辐射光的催化剂动态结构原位表征装置通过验收
12月26日，中国科学院计划财务局组织专家在山西煤炭化学研究所，对王建国研究员负责的中国科学院科研装备研制项目“基于同步辐射光的催化剂动态结构原位表征装置”进行验收及成果鉴定。 验收鉴定专家委员会由中科院高能物理所胡天斗研究员、谢亚宁研究员、北京大学刘海超教授、太原理工大学李瑞丰教授、董晋