双波长激光器造就无需紫外光的光刻技术
【导语】计算机芯片中采用光刻技术创建图片来存储信息，光刻技术中紫外光和图片大小有成正比关系，紫外光波长越短，图片越小，短波紫外光条件非常苛刻而且昂贵。近期，John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RAPID光刻仪(通过光致钝化增强分辨率)，使无需使用紫外线制作微型图片成为可能。 图片说明：RAPID光刻仪——John Fourkas及其研究组研发出的技术可创建比人头发丝小2500倍的图片。 制作微型图片的能力，对于计算机芯片的制造和纳米技术其它许多现行的有潜力的应用来说，是非常必要的。然而，通过常用的称为光刻技术的工艺制造较小的图片，需要使用紫外光，因此从事此项研究就非常困难而且昂贵。 John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RA......阅读全文
光刻机工作原理和组成
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准
光刻机的对准系统
制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊ZL的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计ZL技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。 对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜
光刻机投影式曝光分类
扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸； 步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～
光刻机移动精度怎么控制
光刻机移动精度要在雕刻的过程中，晶圆需要被快速移动,每次移动10厘米来控制。这种误差级别相当于眨眼之间端着一盘菜从北京天安门冲到上海外滩，恰好踩到预定的脚印上，菜还保持端平不能洒。这种方法也叫视频图像处理对准技术，是指在光刻套刻的过程中，掩模图样与硅片基板之间基本上只存在相对旋转和平移，充分利用这一
光刻机是什么东西
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常
电子束光刻相关介绍
电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳
光刻机各个结构的作用
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。 光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。 能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。 光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。 遮光器：在不需要曝
光刻机的简介和分类
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
光刻机的三大种类
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。 1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面； 2.硬接
半导体所集成技术中心召开电子束光刻用户研讨会
4月12日下午，中科院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心召开了2011年度电子束光刻用户研讨会。半导体集成技术工程研究中心领导以及来自半导体所各部门的30余名从事纳米加工的研究生出席了本次会议。 半导体集成技术工程研究中心主任杨富华简要回顾了10年来集成技术中心设备的购建、技术人员的配备和
适用集成电路片上微电池问世－3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科
适用集成电路片上微电池问世－3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科学院学报》上。 负
精准医疗的微流控技术（三）
（4）注塑法注塑法的工艺是通过光刻和刻蚀技术在硅片上刻蚀出电泳芯片阴模，用此阴模进行24h左右的电铸，得到0.5 cm厚的镍合金模，再将镍合金模加厚，精心加工制成金属注塑模具，将此模具安装在注塑机上批量生产聚合物微流控芯片基片。在注塑法制作过程中，模具制作复杂，技术要求高，周期长，是整个工艺过程中的
紫外光谱图怎么分析
这要看你检测的是什么啊？不同物质产生不同波段，有些是测像素 有些测波段 看你测什么了
紫外光纤耦合器
光纤耦合器使用光纤探头可保持样品完整性，增强您实验室的远距离采样能力。Thermo Scientific™ Evolution™ 光纤耦合器，与 Thermo Scientific™ Evolution™ 分光光度计配合使用，让您可以使用我们的一种光纤探头或装备有标准 SMA 接头的任何第三
紫外光谱仪概述
紫外/可见光谱仪，是利用紫外可见光谱法工作的仪器。普通紫外可见光谱仪，主要由光源、单色器、样品池（吸光池）、检测器、记录装置组成。紫外/可见光谱仪设计一般都尽量避免在光路中使用透镜，主要使用反射镜，以防止由仪器带来的吸收误差。当光路中不能避免使用透明元件时，应选择对紫外/可见光均透明的材料（如样
紫外光谱的波长范围
波长范围是10～380 nm，它分为两个区段。波长在10～200 nm称为远紫外区，这种波长能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究工作，故这个区域的吸收光谱称真空紫外，由于技术要求很高，目前在有机化学中用途不大。波长在200～380 nm称为近紫外区，一般的紫外光谱是指这
紫外光谱εmax怎么计算
紫外光谱εmax的计算方法主要有两种：一种是采用紫外-可见光谱仪，测量样品的吸收光谱，从而计算出εmax；另一种是采用紫外光谱仪，测量样品的吸收光谱，从而计算出εmax。首先，根据紫外光谱仪测量的样品吸收光谱，绘制出样品的吸收曲线，然后，从吸收曲线中找出最大的吸收率，即εmax；其次，根据紫外-可见
紫外光谱的波长范围
波长范围是10～380 nm，它分为两个区段。波长在10～200 nm称为远紫外区，这种波长能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究工作，故这个区域的吸收光谱称真空紫外，由于技术要求很高，目前在有机化学中用途不大。波长在200～380 nm称为近紫外区，一般的紫外光谱是指这
紫外光谱的光谱图
右图是乙酸苯酯的紫外光谱图。紫外光谱图提供两个重要的数据：吸收峰的位置和吸收光谱的吸收强度。从图中可以看出，化合物对电磁辐射的吸收性质是通过一条吸收曲线来描述的。图中以波长（单位nm）为横坐标，它指示了吸收峰的位置在260 nm处。纵坐标指示了该吸收峰的吸收强度，吸光度为0.8。吸收光谱的吸收强度是
紫外光谱仪原理
紫外分光光谱UV 分析原理：吸收紫外光能量，引起分子中电子能级的跃迁 谱图的表示方法：相对吸收光能量随吸收光波长的变化 提供的信息：吸收峰的位置、强度和形状，提供分子中不同电子结构的信息 物质分子吸收一定的波长的紫外光时，分子中的价电子从低能级跃迁到高能级而产生的吸收光谱较紫外光谱。紫光
紫外光谱的波长范围
紫外光谱的波长范围是400nm以下。可见光是电磁波谱中人眼可以感知的部分，可见光谱没有精确的范围；一般人的眼睛可以感知的电磁波的波长在400～760nm之间，但还有一些人能够感知到波长大约在380～780nm之间的电磁波。紫外光是电磁波谱中波长从0.01~0.40微米辐射的总称，不能引起人们的视觉。
顺反异构的紫外光谱
紫外光谱顺反异构多指双键或环上取代基在空间排列不同而形成的异构体。其紫外光谱有明显差别，一般反式异构体电子离预范围较大，键的张力较小，π—>π*跃迁位于长波端，吸收强度也较大。
DRYTEK去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810
高精度掩膜对准光刻机
高精度掩膜对准光刻机是一种用于农学、生物学、化学、物理学领域的分析仪器，于2017年11月7日启用。 技术指标 支持4英寸晶圆；曝光波长：350-450nm；曝光灯功率：350W；分辨率：优于0.8mm（光刻胶厚度1微米时）；套刻精度：0.5mm；光强均匀度：优于±2％；更换汞灯后及汞灯全寿
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
电子束光刻的基本结构
电子束曝光的基本结构，从上往下依次为：电子枪、电子枪准直系统、电磁透镜、消像散器、偏转器、物镜、光阑（Aperture）、电子探测器、工作台（stage）以及真空泵（离子泵、分子泵、机械泵）。 电子枪：高分辨率的热场发射，配有高压，电子束的能量通常在10~100KeV。 电子枪准直系统：对电
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
光刻机的定位格栅是什么
时光刻机中的一项核心技术，应用于对半导体衬底进行成像的光刻技术，主要用来确定位置。在目前高端光刻机晶圆台的亚纳米级定位需求中，光栅干涉测量具有较大优势，测量分辨率可达17pm，长期测量稳定性可达0.22nm，采用先进的二维平面光栅可以实现空间六自由度测量，是14nm及以下光刻工艺制程的重要技术路线。
光刻机为什么不用x射线
因为x射线具有穿透力，而穿透力产生的折射会浪费大量的能量，致使光刻机效率低下，甚至无法工作，所以不用x射线。