二次离子质谱仪（SIMS）

二次离子质谱仪（SIMS）

二次离子质谱仪（SIMS）分析方法介绍美信检测 失效分析实验室 1.简介 二次离子质谱仪（secondary ion mass spectroscopy，简称SIMS），是利用质谱法分析初级 离子入射靶面后，溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。二次离子质谱仪分 析对象包括金属及合金、半导

飞行时间二次离子质谱仪（TOFSIMS）

飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）介绍美信检测失效分析实验室 【摘要】飞行时间二次离子质谱仪（Time FlightSecondary Ion Mass Spectrometry， TOF-SIMS）是一种非常灵敏的表面分析技术，通过用一次离子激发样品表面，打出极其微 量的二次离子，根据二次

TOFSIMS（飞行时间二次离子质谱仪）的工作原理

1. 利用聚焦的一次离子束在样品上进行稳定的轰击，一次离子可能受到样品表面的背散射（概率很小），也可能穿透固体样品表面的一些原子层深入到一定深度，在穿透过程中发生一系列弹性和非弹性碰撞。一次离子将其部分能量传递给晶格原子，这些原子中有一部分向表面运动，并把能量传递给表面离子使之发射，这种过程成为粒子

TOFSIMS（飞行时间二次离子质谱仪）的主要用途

1. 掺杂剂与杂质的深度剖析2. 薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族）3. 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析4. 硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N5. 工艺工具（离子植入）的高精度分析

二次离子质谱仪简介

　　二次离子质谱（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的原子或原子团吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,这些带电粒子经过质量分析器后就可以得到关于样品表面信息的图谱。[1]　　在传统的SIMS实验中，高能一次

动态二次离子质谱分析（DSIMS）

动态二次离子质谱分析（D-SIMS）1. 飞行时间二次离子质谱技术二次离子质谱技术（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一种非常灵敏的表面分析技术，通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子的质量来测定元素种类，具有极

二次离子质谱（SIMS）的原理特点和应用

二次离子质谱（secondary ion mass spectroscopy），是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器，它是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的分析吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,通过质量分析器收集、分析这些二次离子，就可以得到关于样品表面信息的图谱。

二次离子质谱（SIMS）的原理特点和应用

二次离子质谱（secondary ion mass spectroscopy），是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器，它是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的分析吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,通过质量分析器收集、分析这些二次离子，就可以得到关于样品表面信息的图谱。中文名 二次离子

SIMS(secondary－ion－mass－spectroscopy)二次离子质谱图文

1.仪器介绍二次离子质谱（SIMS）是一种用于通过用聚焦的一次离子束溅射样品表面并收集和分析喷射的二次离子来分析固体表面和薄膜的组成的技术。SIMS是最灵敏的表面分析技术，元素检测限为百万分之几到十亿分之一。Schematic of a typical dynamic SIMS instrument

二次离子质谱仪原理简介

二次离子质谱仪原理简介二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）又称离子探针（Ion Microprobe），是一种利用高能离子束轰击样品产生二次离子幵迚行质谱测定的仪器，可 以对固体或薄膜样品迚行高精度的微区原位元素和同位素分析。由于地学样品的复杂

二次离子质谱仪组成介绍

　　SIMS主要包括一次离子源、进样室、质量分析器、真空系统、数据处理系统等部分，对于绝缘样品还配有电荷补偿的电子中和枪，同时根据分析目的不同，还配有不同的离子源，常见的有气体放电源（如O、Ar、Xe）、表面电离源（如Cs）、热隙源（如C60）和液态金属及团簇源（如Bin、Aun、Ga）等。　　这是

硅中氧、碳的二次离子质谱(SIMS)分析

硅中氧、碳的二次离子质谱（SIMS）分析何友琴马农农王东雪（电子材料研究所  天津 300192）摘 要 本文采用相对灵敏度因子法，对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法，氧、碳的的检测限分别可达到6.0e16atoms/cm3、2.0e16atoms/cm3。关

飞行时间二次离子质谱（TOFSIMS）研究

一、二次离子峰位归属煤及烃源岩中的有机组分的二次离子谱非常复杂，再加上目前对SIMS裂分机理掌握不够，因此，对煤及源岩有机质的SIMS谱图解释存在很多问题。目前对TOF-SIMS常见碎片离子峰认识程度综合于表7-7。本节研究重点是根据对现有峰位的认识，建立与13CNMR,Mirco-FT·IR可以类

二次离子质谱仪的发展历史

　　自从Dunnoyer 第一次发现离子在真空中沿直线运动已经有100年的历史，自此以后，分子束的应用在二十世纪持续到二十一世纪，它为重大技术进步和基础研究奠定了基础，分子束用于溅射源是其中应用之一。　　尽管在是十九世纪中叶溅射的现象已经观察到，直到十九世纪四十年代，随着真空技术的进步，Herzog

扇形磁场二次离子质谱仪简介

　　　　扇形磁场二次离子质谱仪器通常使用静电和扇形磁场分析器来进行溅射二次离子的速度和质量分析。扇形磁场使离子束偏转，较轻的离子会比较重的离子偏转更多，而较重的离子则具有更大动量。因此，不同质量的离子会分离成不同的光束。静电场也应用于二次光束中，以消除色差。由于这些仪器具有更高的工作电流和持续光束，

二次离子质谱仪的质谱原理

　　Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一种基于质谱的表面分析技术，二次离子质谱原理是基于一次离子与样品表面互相作用现象（基本原理如图1所示）。带有几千电子伏特能量的一次离子轰击样品表面，在轰击的区域引发一系列物理及化学过程，包括一次离子散射及表面原子、原子

关于二次离子质谱仪操作模式的介绍

　　SIMS大致可以分为“动态二次离子质谱”（D-SIMS）"和“静态二次离子质谱“（S-SIMS）两大类。虽然工作原理上它们并无本质差别，但是两种模式的应用特点却有所不同。一次离子束流密度大小是划分两种模式的主要标准。一般在S-SIMS模式下，一次离子束流被控制在1013离子/cm2，常用飞行时间

二次离子质谱仪对分析物的要求

　　在二次离子的常规检测中，可以用于分析的样品可以固体，也可以是粉末、纤维、块状、片状、甚至液体（微流控装置）。如果从导电性考虑，这些样品可以是导电性好的材料，也可以是绝缘体或者半导体。从化学组成上来分，可以是有机样品，如高分子材料、生物分子，也可以是无机样品，如钢铁、玻璃、矿石等。

简述二次离子质谱仪的应用领域

　　当前二次离子质谱领域发展迅速，在半导体制造中元素掺杂，薄膜的组分测量和其他无机材料，宇宙中同位素比例，地球中微量元素等领域具有非常重要应用。　　通过二次离子质谱的深度剖析来分析材料薄膜结构是一种独特的分析手段，尤其是对于分析不同薄层中的材料，以及相邻两层之间材料的相互影响 分析亚微米尺度下的特征

二次离子质谱SIMS应用：从半导体材料到生命科学

在2012年以前，汪福意研究员一直带领团队通过有机质谱，如电喷雾电离质谱(ESI-MS)、基质辅助激光解析电离质谱(MALDI-MS)等进行药物相互作用组学研究、抗肿瘤药物的研究和开发等工作。一次与生物学家偶然的讨论给汪福意带来了启发，他萌生了使用高空间分辨率的二次离子质谱成像进行化

高级玩具：二次离子质谱仪器核心技术研发

几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术

几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术 本文简要叙述法国CAMECA公司,德国IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次离子质谱的特色,着重介绍这些仪器改进过的和新增加的 仪器部件的原理、性能及功用。关键词 二次离子质谱 飞行时间二次

几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术

几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术 本文简要叙述法国CAMECA公司,德国IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次离子质谱的特色,着重介绍这些仪器改进过的和新增加的 仪器部件的原理、性能及功用。关键词 二

关于飞行时间二次离子质谱仪的介绍

　　飞行时间二次离子质谱仪(ToF-SIMS)。在此类质谱仪中，二次离子被提取到无场漂移管，二次离子沿既定飞行路径到达离子检测器。由于给定离子的速度与其质量成反比，因此它的飞行时间会相应不同，较重的离子到达检测器的时间会比较轻的离子更晚。此类质谱仪可同时检测所有给定极性的二次离子，并具有极佳质量分辨

二次离子质谱仪器核心技术项目通过验收

　　2011年6月21日，由中国地质科学院地质研究所北京离子探针中心牵头，联合了中国计量科学研究院、复旦大学、中国科学院大连化学物理研究所和北京普析通用仪器有限责任公司等单位共同承担的国家科技支撑计划课题“二次离子质谱仪器核心技术及关键部件研究与开发”(编号：2006BAK03A21)在京

二次离子质谱仪同时分析非金属元素和金属元素

　　二次离子质谱（sims）和溅射中性粒子质谱（snms）是表面分析科学和材料科学中广泛应用的分析技术。使用离子溅射固体表面能够引起光子、电子、中性粒子和二次离子的发射。sims技术探测溅射产生二次离子，snms技术探测溅射产生中性粒子。由于二次离子的产率和基体相关，sims技术具有显著的基体效应，

SIMS介绍

当固体样品被几keV能量的一次离子溅射时，从靶发射出来的一部分颗粒被电离。二次离子质谱法是使用质谱仪分析这些二次离子。离子轰击下固体表面的二次离子发射提供了有关其最上面的原子层的元素、同位素和分子组成的信息。根据化学环境和溅射条件（离子、能量、角度），二次离子产生率会有很大的变化。这会增加该技术的量

二次离子质谱技术的分析和应用

　　二次离子质谱是一种具有超高分辨率和灵敏度的固体表面分析技术。它可以分析氢元素到铀元素在内的所有元素和同位素，还可以得到固体表面官能团和分子结构等信息。SIMS可以分为静态SIMS（SSIMS）和动态SIMS（DSIMS）两种类型，通过不同扫描类型，得到二次离子质谱图、化学成像、动态深度剖析曲线等

关于四级杆二次离子质谱仪器的介绍

　　　　由于这些仪器的质量分辨率相对有限（单位质量分辨率不能解决每超过一个峰值的质量），因此这些仪器越来越稀有。四级杆利用一个共振电场，其中只有特定质量的离子才能稳定通过震荡场。与扇形磁场仪器相类似的是，这些仪器需要在高一次离子电流下操作，且通常被认为是“动态二次离子质谱”仪器（比如用于溅射深度剖析

一单位880万采购飞行时间二次离子质谱仪

　　某单位飞行时间二次离子质谱仪采购项目公开招标公告　　项目概况 某单位飞行时间二次离子质谱仪采购项目 招标项目的潜在投标人应在http://www.oitccas.com/获取招标文件，并于2023年10月30日13点30分（北京时间）前递交投标文件。　　一、项目基本情况　　项目编号：OITC-G