光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下降，但我们仍在寻找方法来生产具有高通量的小结构。 光刻技术最常用的图案化技术被称为光刻。在光刻中，借助于光刻胶和紫外光将2D掩模上的图案转移到衬底上。不同的光刻系统可以根据所使用的波长进行划分，例如紫外光刻和X射线光刻。在实验室研究中，最常见的图案化方法是紫外光刻。该方法利用波长约为400纳米的紫外光。由于使用的波长部分决定了最小线宽，因此需要更短的波长来生成更小的结构。深紫外光刻技术使用的激光器具备产生低至193纳米的波长，且可以制备50纳米以下的结构。极端紫外线（13.5纳米）和X射线也已经试用过。深紫外线、极端紫外线和X射线方法......阅读全文
电子束光刻的基本结构
电子束曝光的基本结构，从上往下依次为：电子枪、电子枪准直系统、电磁透镜、消像散器、偏转器、物镜、光阑（Aperture）、电子探测器、工作台（stage）以及真空泵（离子泵、分子泵、机械泵）。 电子枪：高分辨率的热场发射，配有高压，电子束的能量通常在10~100KeV。 电子枪准直系统：对电
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
DRYTEK去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810
双波长激光器造就无需紫外光的光刻技术
【导语】计算机芯片中采用光刻技术创建图片来存储信息，光刻技术中紫外光和图片大小有成正比关系，紫外光波长越短，图片越小，短波紫外光条件非常苛刻而且昂贵。近期，John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RAPID光
光刻机用低温冷水机组故障原因与排除
光刻机用低温冷水机组操作者可对设备运行过程中的相关故障以及解决办法做一定的了解，以便更好的使用光刻机用低温冷水机组，那么其故障原因是怎么样的呢？ 1、制冷剂泄漏： 系统中制冷剂泄漏后制冷量不足，吸、排气压力低，蒸发器不挂霜或挂角少量的浮霜，若调大膨胀阀孔，吸气压力仍无大变化，停机后系统内平衡压
光刻机水冷机组定时保养知识须知
按时进行光刻机水冷机组的维修保养，而对于很多企业而言，如果光刻机水冷机组缺少必要的保养与维护，意味着光刻机水冷机组后期运行故障率非常高。 在实际运行光刻机水冷机组的时候，为保持光刻机水冷机组运行靠谱与稳定，建议在使用半年时间之后，需要针对光刻机水冷机组进行面面的清洗。尤其对于容易产生积尘污垢的位
佳能PLA500光刻机共享应用
仪器名称：佳能光刻机仪器编号：80424600产地：日本生产厂家：日本型号：PLA-500出厂日期：198004购置日期：198004所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,1
新型光刻机加紧研制，未来芯片技术或将迎来变革
据悉，全球最先进的光刻机厂商ASML正在开发一款新版本的EUV光刻机，研制成功后它将是世界上最先进的芯片制造设备。该光刻机名为High NA，目前第一台机器正在研发之中，预计摇到2023年才会提供先行体验，可以让芯片制造商更快地学习如何使用。客户可以在 2024 年和 2025 年将以此进行自己的研
我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证
4月2日，记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。相关成果日前发表在《化学工程杂志》上。据介绍，这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在生产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转
中紫外直接光刻设备研制成功
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队在国内研制成功。该设备采用特有的高均匀、高准直中紫外照明技术，结合光敏玻璃材料，实现基于光敏玻璃基底的微细结构直接加工，能够极大简化工艺流程，将有力促进光敏玻璃微细结构的光刻工艺技术“革命”，目前在国内尚未见有此类产
新型光刻机提升微纳实用制造水平
中科院光电技术研究所微电子专用设备研发团队，近日自主研制成功紫外纳米压印光刻机。该机器将新型纳米压印高分辨力光刻技术与紫外光刻技术有机结合，成本仅为国外同类设备的1/3，并在同一加工平台上实现了微米到纳米级的跨尺度图形加工，使我国微纳实用制造水平迈上新的台阶。 光刻机是实现微纳图形加工的专用高
2022年新挑战——光刻机、网络安全......
2月15日，中国工程院信息与电子工程学部、中国信息与电子工程科技发展战略研究中心在京发布“中国电子信息工程科技发展十三大挑战（2022）”。发布会由中国工程院院士、信息与电子工程学部主任卢锡城主持。 中国工程院党组成员、副院长陈左宁院士表示，中国工程院作为中国工程科学技术界最高荣誉性、咨询性学
光刻机冷却循环装置常见系统故障
1、回液：对于使用膨胀阀的制冷系统，回液与膨胀阀选型和使用不当密切相关。膨胀阀选型过大、过热度设定太小、感温包安装方法不正确或绝热包扎破损、膨胀阀失灵都可能造成回液。对于使用毛细管的小制冷系统而言，加液量过大会引起回液。蒸发器结霜严重或风扇故障时传热变差，未蒸发的液体会引起回液。温度频繁波动也会引
清华大学仪器共享平台SUSS－光刻机
仪器名称：光刻机仪器编号：20004477产地：中国生产厂家：SUSS Micro Tec Lithography Gmb型号：MJB4出厂日期：购置日期：2020-06-09所属单位：电子系>纳米光电子综合测试平台放置地点：罗姆楼B1-304室固定电话：62796594固定手机：固定email：h
MA6双面光刻机共享
仪器名称：MA6双面光刻机仪器编号：00011041产地：德国生产厂家：Karl Suss型号：MA6出厂日期：199907购置日期：200010所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
2024第21届北京国际光刻胶与加工设备展览会
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性
科学家首次利用硫系薄膜实现灰度光刻
中科院上海光机所高密度光存储实验室魏劲松研究小组在一项最新研究中，首次利用硫系薄膜实现高分辨率的灰度图形光刻。相关研究成果已作为专栏文章全文发表于《自然—光子学》杂志。 该项研究首次发现，利用激光直写在硫系薄膜形成表面浮雕结构，通过精确控制激光脉冲能量可以得到不同高度和尺寸的浮雕结构，不同高度
单面/双面掩模对准光刻机的相关知识
单面/双面掩模对准光刻机支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，
激光代替光刻可降低超表面生产成本
俄罗斯国立研究型大学莫斯科电子技术学院科研人员，使用激光脉冲代替光刻开发出了一种为信息显示设备创建元件的新技术。这将加速降低下一代显示器和各种光学系统超表面的生产成本。研究结果发表在新一期《应用表面科学》上。 超表面是带有周期性图案的结构，可用于控制电磁波和光波。在此基础上，可使用介电材料、金
电子束光刻投影电子束扫描系统
扫描式电子束曝光系统可以得到极高的分辨率，但其生产率较低，不能满足大规模生产的需要。成形束系统生产率固然有所提高，但其分辨率一般在0.2μm左右，难以制作纳米级图形。近年来研发的投影电子束来曝光系统，既能使曝光分辨率达到纳米量级，又能大大提高生产率，且不需要邻近效应校正。在研制中的投影式电子束曝
日本光刻胶大厂计划提价－增幅约10％20％
据韩媒《The Elec》报道，业内人士透露，日本住友化学子公司东友精密化学（Dongwoo Fine-Chem）向韩国半导体企业表示，由于原材料和劳动力成本上涨，拟提高氟化氪（KrF）和L线光刻胶价格，增幅因产品而异，约为10%-20%。 光刻胶是半导体制作的关键材料，能够利用光化学反应，经
三维光刻打印重现器官真实发育过程
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/8/506557.shtm
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
MA6双面光刻机共享应用
仪器名称：MA6双面光刻机仪器编号：00011041产地：德国生产厂家：Karl Suss型号：MA6出厂日期：199907购置日期：200010所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
电子束光刻光栅扫描系统相关介绍
采用高速扫描方式对整个图形场扫描,利用快速束闸控制电子束通断,实现选择性曝光。例如美国Etec公司生产的MEBES系统采用高亮度热场致发射阴极,在掩模版上可获得400的束电流密度，工件台在X方向作连续移动时，电子束在Y 方向作短距离重复扫描，从而形成一条光栅扫描图形带。随后工件台在 Y方向步
奥普光电对于晶体材料用于紫外光刻回应
有投资者在投资者互动平台提问：请问公司CaF2晶体材料是否可用于紫外光刻？奥普光电（002338.SZ）2月27日在投资者互动平台表示，公司生产的CaF2晶体材料未用于紫外光刻。
适用集成电路片上微电池问世－3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科
适用集成电路片上微电池问世－3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科学院学报》上。 负
半导体所集成技术中心召开电子束光刻用户研讨会
4月12日下午，中科院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心召开了2011年度电子束光刻用户研讨会。半导体集成技术工程研究中心领导以及来自半导体所各部门的30余名从事纳米加工的研究生出席了本次会议。 半导体集成技术工程研究中心主任杨富华简要回顾了10年来集成技术中心设备的购建、技术人员的配备和