PiFM光诱导力显微技术正成为薄膜表征新风口
光诱导力显微术（PiFM）正在成为薄膜表征领域的一股新兴力量，甚至有望成为纳米制造计量中的新风口。在先进半导体与原子级制造中，区域选择性沉积（ASD）被视为以原子精度构建三维结构、减少光刻步骤的关键路径；但其最大难点在于，如何在缺乏明显形貌特征的单分子层上，验证材料是否真的“长”在了该去的部位。最新研究给出令人信服的答案——PiFM能够直接“看见”原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）过程中纳米尺度的化学变化，弥补了原子力显微镜（AFM）仅靠形貌成像无法确认的盲区，例如钴（Co）意外沉积在交替材料线路区域这类容易被忽略的问题。实验中，研究人员使用Vista 75 AFM对沉积了钴的ASD测试芯片进行PiFM测量，并与未镀膜芯片严格对照。该测试芯片由Chipmetrics公司提供，在平整硅表面嵌入了小于100纳米的交替材料线（SiO2与Si3N4）。AFM形貌图显示，周围硅基底区域的钴沉积比交替线路区高出6纳米，提示存在选择......阅读全文
PiFM光诱导力显微技术正成为薄膜表征新风口
光诱导力显微术（PiFM）正在成为薄膜表征领域的一股新兴力量，甚至有望成为纳米制造计量中的新风口。在先进半导体与原子级制造中，区域选择性沉积（ASD）被视为以原子精度构建三维结构、减少光刻步骤的关键路径；但其最大难点在于，如何在缺乏明显形貌特征的单分子层上，验证材料是否真的“长”在了该去的部位。最新
研究显示：PiFM技术让薄膜选区沉积表征更精准
在原子层沉积与化学气相沉积中，对单分子层级的选区沉积进行可视化一直是个难题，尤其当沉积层缺乏可被形貌区分的特征时。核心数据表明，测试芯片以亚一百纳米交替材料线嵌入平面硅表面，为工艺团队提供了标准计量手段；而光诱导力显微镜更能借助材料的红外吸收特征直接"看见"纳米尺度的化学变化，补足了形貌成像的盲区
原子层沉积
原子层沉积(ALD)是一种真正的"纳米"技术，以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程，微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。 原子层沉积的优点 因为原子层沉积工艺在每个周期内精确地沉积一个原子层，所以能
原子层沉积的研究
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ALD的工艺特点及工艺过程后，针
薄膜选区沉积表征难题终于有解了
研究背景要追溯到先进芯片制造的一个痛点：在原子层沉积与化学气相沉积工艺中，单分子层级的选区沉积极难可视化，尤其当沉积层与周围区域在形貌上别无二致时，传统形貌成像往往"看得见高度，看不见成分"。为此推出的测试芯片，以亚一百纳米交替材料线嵌入平面硅表面，让工艺团队能用标准计量仪器分析选区沉积，迈出关键
其他薄膜沉积设备的薄膜沉积技术分类
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较
原子层沉积系统（ALD）的应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构） 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子层沉积系统（ALD）的介绍
是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
原子层沉积系统（ALD）的原理
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
PICOSUN－原子层沉积系统共享
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
BENEQ－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：BENEQ 原子层沉积系统仪器编号：09016504产地：芬兰生产厂家：BENEQ型号：TFS200-106出厂日期：200810购置日期：200910所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹秉军（010
PICOSUN－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
对于原子层沉积系统（ALD）的研究
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ALD的工艺特点及工艺过程后
原子层沉积系统（ALD）－跟热蒸镀沉积有什么区别？
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
Picosun－Oy真空互联原子层沉积系统共享应用
仪器名称：真空互联-原子层沉积系统仪器编号：21029113产地：芬兰生产厂家：Picosun Oy型号：R-200 Advanced出厂日期：购置日期：2021-11-25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：01062784044固定
清华大学仪器共享平台Ultratech－原子层沉积系统
仪器名称：原子层沉积系统仪器编号：17016605产地：美国生产厂家：Ultratech型号：Savannah S100出厂日期：购置日期：2017-06-25所属单位：电子系>纳米光电子综合测试平台放置地点：罗姆楼B1-304室固定电话：62796594固定手机：固定email：haosun@ts
原子层沉积技术可用于合金提升态密度有效质量
中国科学院院士、西安交通大学材料学院材料强度组孙军教授，材料强度组丁向东教授、武海军教授与深圳大学合作，在探究相界面工程作用于ZrNiSn基半哈斯勒热电材料取得进展。该工作鉴于现有研究中相界面引发的载流子迁移率降低问题，以及单一能量势垒无法在全温度范围内提升态密度有效质量的局限性，团队创新性地将原子
薄膜溅射沉积系统共享应用
仪器名称：薄膜溅射沉积系统仪器编号：16041495产地：中国生产厂家：AJA型号：ATC 2200-V出厂日期：201605购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼108固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278109
原子力显微镜与扫描力显微术摩擦力
摩擦力显微镜（LFM）是在原子力显微镜（AFM）表面形貌成像基础上发展的新技术之一。材料表面中的不同组分很难在形貌图像中区分开来，而且污染物也有可能覆盖样品的真实表面。LFM恰好可以研究那些形貌上相对较难区分、而又具有相对不同摩擦特性的多组分材料表面。图1 摩擦力显微镜扫描及力检测示意图
芬兰PICOSUN公司将在波士顿举行原子层沉积系统展览
欢迎您参加2011年6月27-29在波士顿举行的芬兰PICOSUN公司的原子层沉积系统展览。具体内容如下： Thanks to our excellent ALD systems, we are happy report profitable 100% growth during th
原子力显微镜与扫描力显微术斥力模式
斥力模式原子力显微镜（AFM） 微悬臂是原子力显微镜（AFM）关键组成部分之一，通常由一个一般100～500μm长和大约500nm～5μm厚的硅片或氮化硅片制成。微悬臂顶端有一个尖锐针尖，用来检测样品－针尖间的相互作用力。对于一般的形貌成像，探针尖连续（接触模式）或间断（轻敲模式）与样品接
薄膜沉积控制仪的相关知识普及
薄膜沉积控制仪包括反应腔室，还包括至少两套成膜机构，所述至少两套成膜机构分别对应待成膜基板的至少两个成膜区域；每套所述成膜机构配置为在所述反应腔室内形成一种成膜环境，且各套所述成膜机构所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，以分别在对应的成膜区域形成薄膜性能或薄膜参数不同的薄膜。 薄膜设备
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退
其他薄膜沉积设备的重要性
沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。
LAB18薄膜沉积系统共享
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
原子力显微术功能化探测模式
原子力显微术功能化探测模式传统AFM的基本工作模式主要包括接触模式(contact mode)、振幅调制模式(又称轻敲模式，amplitude modulation 或tapping mode)、频率调制模式(又称非接触模式，frequency modulation 或noncontact mode
Park原子力显微镜完成其对Molecular－Vista的股权投资
2020年4月29日，Park原子力显微镜宣布最终完成对美国加州圣何塞的Molecular Vista进行的股权投资。Molecular Vista作为一家AFM的生产商，该公司主要聚焦于基于光诱导力显微镜的纳米红外技术（IR PiFM）进行AFM红外联用的定量可视化研究工作，从而实现分子水平上
石墨烯修复告别“大水漫灌”开启“精准滴灌”
石墨烯薄膜缺陷的快速修复过程示意图。（赵文杰提供）近期，中国科学院宁波材料技术与工程研究所海洋实验室苛刻环境材料耦合损伤与延寿团队，设计了一种快速、精准修复石墨烯薄膜缺陷的方法，可以在15分钟内高效地修复石墨烯薄膜上多尺度和多类型缺陷，在提高石墨烯薄膜腐蚀防护性能的同时不影响石墨烯优异的导电性能。
LAB18薄膜沉积系统共享应用
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
ald－工艺－怎么保证－单个原子沉积
原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。单原子层沉积（atomic layer