薄膜溅射沉积系统共享应用
仪器名称：薄膜溅射沉积系统仪器编号：16041495产地：中国生产厂家：AJA型号：ATC 2200-V出厂日期：201605购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼108固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）韩英（010-62782076,18601218109,hanying@mail.tsinghua.edu.cn）分类标签：微纳加工 磁控溅射 材料制备技术指标：本底真空：10e-8 torr；成膜均匀性<3%；同时装载5个靶位；知名用户：吴华强、钱鹤、宋成、薛其坤技术团队：窦维治、韩冰、魏治乾功能特色：可用于制作铁磁材料薄膜、氧化物薄膜等样品要求：兼容4英寸、6英寸、8英寸圆片预约说明：实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则取消预......阅读全文
薄膜溅射沉积系统共享应用
仪器名称：薄膜溅射沉积系统仪器编号：16041495产地：中国生产厂家：AJA型号：ATC 2200-V出厂日期：201605购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼108固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278109
LAB18薄膜沉积系统共享应用
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
LAB18薄膜沉积系统共享
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
全自动磁控溅射系统共享应用
仪器名称：全自动磁控溅射系统仪器编号：12024341产地：中国生产厂家：金盛微纳科技有限公司型号：MSP-150B出厂日期：201112购置日期：201211所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：刘建设（,,zh
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退
多靶位磁控溅射系统共享应用
仪器名称：多靶位磁控溅射系统仪器编号：21012328产地：美国生产厂家：科特·莱斯科公司型号：PVD75出厂日期：购置日期：2021-07-12所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：62781090固定手机：13661079620固定email：
PICOSUN－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
BENEQ－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：BENEQ 原子层沉积系统仪器编号：09016504产地：芬兰生产厂家：BENEQ型号：TFS200-106出厂日期：200810购置日期：200910所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹秉军（010
磁控溅射镀膜机共享应用
仪器名称：磁控溅射镀膜机仪器编号：13001328产地：中国生产厂家：创世威纳科技公司型号：MSP-3200T出厂日期：201301购置日期：201301所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：一楼平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090,19
TRION化学气相沉积系统共享应用
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
清华大学仪器共享平台Kurt－LAB18薄膜沉积系统
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
国产溅射台共享
仪器名称：国产溅射台仪器编号：02011815产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：JS-3出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090
Picosun－Oy真空互联原子层沉积系统共享应用
仪器名称：真空互联-原子层沉积系统仪器编号：21029113产地：芬兰生产厂家：Picosun Oy型号：R-200 Advanced出厂日期：购置日期：2021-11-25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：01062784044固定
金盛微全自动磁控溅射系统共享
仪器名称：全自动磁控溅射系统仪器编号：12024341产地：中国生产厂家：金盛微纳科技有限公司型号：MSP-150B出厂日期：201112购置日期：201211所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：刘建设（,,zh
化学气相沉积系统共享
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
PICOSUN－原子层沉积系统共享
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
AJA－真空互联磁控溅射镀膜机共享应用
仪器名称：真空互联-磁控溅射镀膜机仪器编号：20004165产地：美国生产厂家：AJA型号：ATC-2200-UHV SPUTTER SYSTEM出厂日期：购置日期：2020-06-05项目名称计价单位费用类别价格备注材料溅射元/小时自主上机机时费460.0Au等贵金属加收100元/10nm所属单位
TOHO－薄膜应力计共享应用
仪器名称：薄膜应力计仪器编号：12030409产地：日本生产厂家：TOHO型号：FLX-2320S出厂日期：201212购置日期：201212样品要求：样品大小可为4、5、6、8英寸。预约说明：实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则取消预约需提前2个小时通过网上取消预约所属单位：集成电
其他薄膜沉积设备的薄膜沉积技术分类
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较
磁控溅射镀膜机共享
仪器名称：磁控溅射镀膜机仪器编号：13001328产地：中国生产厂家：创世威纳科技公司型号：MSP-3200T出厂日期：201301购置日期：201301所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：一楼平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090,19
中科院自产溅射台共享
仪器名称：国产溅射台仪器编号：02011815产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：JS-3出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090
系统测试nikon共享应用
仪器名称：系统测试nikon仪器编号：A15000007产地：生产厂家：型号：出厂日期：购置日期：所属单位：医研院>生物医学测试中心>尼康影像中心放置地点：医学科学楼C153固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹慧珍（010-62798727,15210512148,caohuizhen@m
清洗系统共享应用
仪器名称：清洗系统仪器编号：04009244产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：SolventStrip出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,1
清华大学仪器共享平台Ultratech－原子层沉积系统
仪器名称：原子层沉积系统仪器编号：17016605产地：美国生产厂家：Ultratech型号：Savannah S100出厂日期：购置日期：2017-06-25所属单位：电子系>纳米光电子综合测试平台放置地点：罗姆楼B1-304室固定电话：62796594固定手机：固定email：haosun@ts
清华大学仪器共享平台金盛微纳－全自动磁控溅射系统
仪器名称：全自动磁控溅射系统仪器编号：12024341产地：中国生产厂家：金盛微纳科技有限公司型号：MSP-150B出厂日期：201112购置日期：201211所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：刘建设（,,zh
原子层沉积系统（ALD）的应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构） 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
清华大学仪器共享平台TRION－化学气相沉积系统
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
磁致溅射仪层生长型薄膜的形成
这种生长类型的特点是，蒸发原子首先在基片表面以单原子层的形式均匀地翟盖一层，然后再在三维方向上生长更多的层。这种生长方式多数发生在基片原子与蒸发原子间的结合能接近于蒸发原子间的结合能的情况下。层生长型的过程大致如下:入射到基片表面的原子，经过表面扩散并与其它原子碰撞后形成二维的核，二维核捕捉周围
磁致溅射仪核生长型薄膜的形成
这种类型形成过程的特点是，到达基片上的原子首先凝聚成核，后续飞来的原子不断集聚在核的附近使核在三维方向不断成长，最终形成薄膜。大部分薄膜的形成过程都属于这种类型。核生长型的薄膜其生长过程可以分为如下四个阶段。 (l)成核阶段碰撞到基片上的原子，其中一部分与基片原子交换的能量很少，仍具有相当大的
清华大学仪器共享平台科特·莱斯科－多靶位磁控溅射系统
仪器名称：多靶位磁控溅射系统仪器编号：21012328产地：美国生产厂家：科特·莱斯科公司型号：PVD75出厂日期：购置日期：2021-07-12所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：62781090固定手机：13661079620固定email：