中科院自产溅射台共享
仪器名称：国产溅射台仪器编号：02011815产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：JS-3出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090,19801221361,zhiqianwei@tsinghua.edu.cn）分类标签：集成电路 半导体工艺 微纳加工 磁控溅射技术指标：金属材料磁控溅射：Al、Cr、Ag、Au、Pt、Cu、Ti、TiW。均匀性在5%~10%之间知名用户：王喆垚(微电子所)、陈兢(北京大学)、何立平(中科院物理所)、严清峰(化学系)、许军(微电子所)、尤政(精仪系) 朱荣(精仪系)、张志勇(北京大学)、金传洪(浙江大学)技术团队：工艺工程师：魏治乾 设备工程师：韩冰 工艺主管：窦维治功能特色：本设备为半导体器件......阅读全文
国产溅射台共享
仪器名称：国产溅射台仪器编号：02011815产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：JS-3出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090
中科院自产溅射台共享
仪器名称：国产溅射台仪器编号：02011815产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：JS-3出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090
离子溅射仪溅射工作原理简介
直流冷阴极二极管式，靶材处于常温，加负高压1-3kv，阳极接地。当接通高压，阴极发射电子，电子能量增加到1-3kev，轰击低真空中（3-10pA)的气体，使其电离，激发出的电子在电场中被加速，继续轰击气体，产生联级电离，形成等离子体。离子以1-3kev的能量轰击阴极靶，当其能量高于靶材原子的结合
清华大学仪器共享平台中科院－国产溅射台
仪器名称：国产溅射台仪器编号：02011815产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：JS-3出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090
小型离子溅射仪可以用来溅射铜吗
小型的离子溅射仪分为低真空离子溅射和高真空离子溅射，根据原理又分为高电压直流、低电压磁控和离子束三种原理，目前市面上的离子溅射大部分是可以满足您的需求，你可以查看上海禾早生产的离子溅射仪。
磁控溅射的相关介绍
磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅
磁致溅射仪简介
磁致溅射仪是应用于各种金属薄膜的溅射蒸镀仪器，在惰性气体或者活性气体中在阳极和阴极蒸发材料间加上几百伏的直流电压，使之产生辉光放电，放电中的离子碰撞到阴极的蒸发材料靶上，靶材的原子就会由其表面蒸发出来，蒸发原子被惰性气体冷却而凝结或与活性气体反应而形成纳米颗粒。
磁控溅射种类的介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。 靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多
金属多靶磁控溅射机
金属多靶磁控溅射机是一种用于电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2014年1月1日启用。 1）真空系统：复合分子泵+直联旋片无油机械泵抽真空系统；真空极限：优于5.0×10E-5Pa ；抽速：从大气开始抽气，溅射室25分钟可达到10E-4Pa；系统漏率≤ 5×10-7PaL/s，系统停泵关机1
磁控溅射技术应用的现状
磁控溅射技术不仅是科学研究和精密电子制造中常用的薄膜制备工艺技术，经过多年的不断完善和发展，该技术也已经成为重要的工业化大面积真空镀膜技术之一，广泛应用于玻璃、汽车、医疗卫生、电子工业等工业和民生领域。例如，采用磁控溅射工艺生产镀膜玻璃，其膜层可以由多层金属或金属氧化物祖成，允许任意调节能量通过
磁控溅射镀膜机共享
仪器名称：磁控溅射镀膜机仪器编号：13001328产地：中国生产厂家：创世威纳科技公司型号：MSP-3200T出厂日期：201301购置日期：201301所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：一楼平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090,19
磁控溅射原理的相关介绍
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，
薄膜溅射沉积系统共享应用
仪器名称：薄膜溅射沉积系统仪器编号：16041495产地：中国生产厂家：AJA型号：ATC 2200-V出厂日期：201605购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼108固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278109
磁控溅射镀膜机共享应用
仪器名称：磁控溅射镀膜机仪器编号：13001328产地：中国生产厂家：创世威纳科技公司型号：MSP-3200T出厂日期：201301购置日期：201301所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：一楼平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：魏治乾（010-62781090,19
离子溅射仪器的技术指标
离子溅射仪器是一种用于交通运输工程领域的分析仪器，于2016年06月28日启用。 技术指标 （1）样品室大小：直径120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直径57mm×厚度0.1mm； （3）样品台：可以装载12个SEM样品座，高度
磁致溅射仪的原理简介
溅射法的原理是在惰性气体或者活性气体中在阳极和阴极蒸发材料间加上几百伏的直流电压，使之产生辉光放电，放电中的离子碰撞到阴极的蒸发材料靶上，靶材的原子就会由其表面蒸发出来，蒸发原子被惰性气体冷却而凝结或与活性气体反应而形成纳米颗粒。溅射是一个复杂的过程。溅射过程是建立在气体辉光放电基础上的。当两电
解析离子溅射仪常见故障
故障现象：使用一段时间后，溅射电流变小 解决方法：对靶材有无变色、破裂和油污等现进行检查。前两者对靶材进行更换，后者被油蒸汽污染，通过无水乙醇进行清洁，等到干了以后才能够抽真空。 故障现象：在使用一段时间以后，有着过低的真空。 解决方法：对溅射室中或管道内是否有油进行检查，能够使用汽油进行
磁控溅射技术的工艺历史发展
1852年，格洛夫发现了阴极溅射，由于该方法要求工作气压高、基体温升高和沉积速率低等，阴极溅射在生产中并没有得到广泛的应用。20世纪三十年代，J.Chapin发明了平衡磁控溅射，使高速、低温溅射成为现实，磁控溅射真正意义上发展起来。 上世纪五十年代Schneider等采用离化溅射和平衡磁控溅射
离子溅射仪操作流程相关介绍
1、一般工作距离可调，距离越近，溅射速度越快，但热损伤会增加。 2、离子流的大小通过控制真空压力实现，真空度越低，I越大，溅射速度越快，原子结晶晶粒越粗，电子轰击样品（阳极）产生的热量越高；真空度越高,I 越小，溅射速度越慢，原子结晶晶粒越细小，电子轰击样品产生的热量小。 3、加速电压为固定
离子溅射仪器的技术指标
（1）样品室大小：直径120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直径57mm×厚度0.1mm； （3）样品台：可以装载12个SEM样品座，高度可调范围为50mm； （4）溅射控制：程序化数字控制，最大电流40mA； （5）溅射头：低电压平面磁
磁致溅射仪的结构系统简介
真空系统：真空系统由机械泵、分子泵和各种阀门组成。低真空下，由热偶型规管来测定真空度高真空下由电离型规管来测量。系统的最高真空度可以达到数量级。 输气系统：溅射中需要通入高纯氢气作为溅射气体。有时需要通入、等进行反应溅射。系统现有两路质量流量计，所用的气体可以选择合适的流量进入真空室。 加热
全自动磁控溅射系统共享应用
仪器名称：全自动磁控溅射系统仪器编号：12024341产地：中国生产厂家：金盛微纳科技有限公司型号：MSP-150B出厂日期：201112购置日期：201211所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：刘建设（,,zh
姚力军：让新材料溅射全球
6个合伙人，40个集装箱。这是2005年来宁波时，曾经的跨国公司总经理姚力军带来的全部“家当”。 “当时，芯片行业核心技术都掌握在日本人和美国人手上。”姚力军至今记得自己选择回国创业时，朋友和同事对他的不解与不舍，可他没有动摇，“半导体产业有需求有前景，现在是报效祖国的时候，回来就是
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退
超高真空多靶磁控溅射镀膜仪
超高真空多靶磁控溅射镀膜仪是一种用于物理学领域的物理性能测试仪器，于2010年2月21日启用。 技术指标 双室磁控溅射系统，极限压力：主溅射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三个直流电源，两个射频电源，靶材直径60mm；3、6个样品工位，尺寸直径30mm，基片加热最高600度，退火
简介磁致溅射仪的制备优点
不仅可以得到很高的溅射速率，而且在溅射金属时还可以避免二次电子轰击而使基板保持接近冷态，这对单晶和塑料基板具有重要的意义。磁控溅射可以用DC和RF放电工作，故能制备金属膜和介质膜。但是它的缺点是：不能实现强磁性材料的低温高速溅射，因为几乎所有的磁通都通过磁性靶子，所以在靶面附近不能外加强磁场；绝
多靶位磁控溅射系统共享应用
仪器名称：多靶位磁控溅射系统仪器编号：21012328产地：美国生产厂家：科特·莱斯科公司型号：PVD75出厂日期：购置日期：2021-07-12所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：62781090固定手机：13661079620固定email：
磁致溅射仪层生长型薄膜的形成
这种生长类型的特点是，蒸发原子首先在基片表面以单原子层的形式均匀地翟盖一层，然后再在三维方向上生长更多的层。这种生长方式多数发生在基片原子与蒸发原子间的结合能接近于蒸发原子间的结合能的情况下。层生长型的过程大致如下:入射到基片表面的原子，经过表面扩散并与其它原子碰撞后形成二维的核，二维核捕捉周围
磁致溅射仪核生长型薄膜的形成
这种类型形成过程的特点是，到达基片上的原子首先凝聚成核，后续飞来的原子不断集聚在核的附近使核在三维方向不断成长，最终形成薄膜。大部分薄膜的形成过程都属于这种类型。核生长型的薄膜其生长过程可以分为如下四个阶段。 (l)成核阶段碰撞到基片上的原子，其中一部分与基片原子交换的能量很少，仍具有相当大的
金盛微全自动磁控溅射系统共享
仪器名称：全自动磁控溅射系统仪器编号：12024341产地：中国生产厂家：金盛微纳科技有限公司型号：MSP-150B出厂日期：201112购置日期：201211所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：刘建设（,,zh