LAB18薄膜沉积系统共享应用
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分类标签：半导体工艺 集成电路 微纳加工 磁控溅射技术指标：金属及氧化物材料磁控溅射：包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、V2O5、TiN、W等；本底真空：10E-8Torr知名用户：钱鹤研究员，吴华强研究员，伍晓明研究员，王敬研究员，陈炜研究员等。技术团队：吴华强副教授，伍晓明副教授，窦维治支持工程师，韩冰设备工程师，李志东工艺工程师功能特色：该设备的特点如下：本底......阅读全文
LAB18薄膜沉积系统共享应用
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
LAB18薄膜沉积系统共享
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
清华大学仪器共享平台Kurt－LAB18薄膜沉积系统
仪器名称：LAB18薄膜沉积系统仪器编号：12028282产地：中国生产厂家：Kurt型号：KJLC出厂日期：201204购置日期：201212所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090
薄膜溅射沉积系统共享应用
仪器名称：薄膜溅射沉积系统仪器编号：16041495产地：中国生产厂家：AJA型号：ATC 2200-V出厂日期：201605购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼108固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278109
BENEQ－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：BENEQ 原子层沉积系统仪器编号：09016504产地：芬兰生产厂家：BENEQ型号：TFS200-106出厂日期：200810购置日期：200910所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹秉军（010
PICOSUN－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
TRION化学气相沉积系统共享应用
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
Picosun－Oy真空互联原子层沉积系统共享应用
仪器名称：真空互联-原子层沉积系统仪器编号：21029113产地：芬兰生产厂家：Picosun Oy型号：R-200 Advanced出厂日期：购置日期：2021-11-25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：01062784044固定
PICOSUN－原子层沉积系统共享
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
化学气相沉积系统共享
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
TOHO－薄膜应力计共享应用
仪器名称：薄膜应力计仪器编号：12030409产地：日本生产厂家：TOHO型号：FLX-2320S出厂日期：201212购置日期：201212样品要求：样品大小可为4、5、6、8英寸。预约说明：实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则取消预约需提前2个小时通过网上取消预约所属单位：集成电
其他薄膜沉积设备的薄膜沉积技术分类
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较
清洗系统共享应用
仪器名称：清洗系统仪器编号：04009244产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：SolventStrip出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,1
系统测试nikon共享应用
仪器名称：系统测试nikon仪器编号：A15000007产地：生产厂家：型号：出厂日期：购置日期：所属单位：医研院>生物医学测试中心>尼康影像中心放置地点：医学科学楼C153固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹慧珍（010-62798727,15210512148,caohuizhen@m
清华大学仪器共享平台Ultratech－原子层沉积系统
仪器名称：原子层沉积系统仪器编号：17016605产地：美国生产厂家：Ultratech型号：Savannah S100出厂日期：购置日期：2017-06-25所属单位：电子系>纳米光电子综合测试平台放置地点：罗姆楼B1-304室固定电话：62796594固定手机：固定email：haosun@ts
原子层沉积系统（ALD）的应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构） 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
清华大学仪器共享平台TRION－化学气相沉积系统
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
EVG高级显影系统共享应用
仪器名称：高级显影系统仪器编号：04001249产地：奥地利生产厂家：EVG型号：EVG101D出厂日期：200303购置日期：200403所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：安东（010-62796021,187016473
弘塑清洗系统共享应用
仪器名称：清洗系统仪器编号：04009245产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：RCAPre出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,1391032
弘塑刻蚀系统共享应用
仪器名称：刻蚀系统仪器编号：04009242产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：NitrideEtch出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,13
全自动磁控溅射系统共享应用
仪器名称：全自动磁控溅射系统仪器编号：12024341产地：中国生产厂家：金盛微纳科技有限公司型号：MSP-150B出厂日期：201112购置日期：201211所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：刘建设（,,zh
DHISTECH玻片扫描系统Pannoramic－SCAN共享应用
仪器名称：3DHISTECH玻片扫描系统Pannoramic SCAN仪器编号：22009068产地：匈牙利生产厂家：3DHISTECH型号：Pannoramic Scan出厂日期：购置日期：2022-06-09所属单位：医研院>生物医学测试中心>细胞生物学平台>细胞平台电镜机组放置地点：医学科学楼
其他薄膜沉积设备的重要性
沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退
薄膜沉积控制仪的相关知识普及
薄膜沉积控制仪包括反应腔室，还包括至少两套成膜机构，所述至少两套成膜机构分别对应待成膜基板的至少两个成膜区域；每套所述成膜机构配置为在所述反应腔室内形成一种成膜环境，且各套所述成膜机构所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，以分别在对应的成膜区域形成薄膜性能或薄膜参数不同的薄膜。 薄膜设备
多靶位磁控溅射系统共享应用
仪器名称：多靶位磁控溅射系统仪器编号：21012328产地：美国生产厂家：科特·莱斯科公司型号：PVD75出厂日期：购置日期：2021-07-12所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：62781090固定手机：13661079620固定email：
EVG精密对位曝光系统共享应用
仪器名称：精密对位曝光系统仪器编号：04001157产地：奥地利生产厂家：EVG型号：EVG620出厂日期：200303购置日期：200403所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：安东（010-62796021,18701647
化学气相沉积法生产几种贵金属薄膜
贵金属薄膜因其有着较好的抗氧化能力、高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成贵金属薄膜的其他方式相比，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备贵金属薄膜都会采用这种方式。沉积贵金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛，不过大多是贵金属元素的卤化物和有机化合物，比如COCl2、氯化
nikon－系统测试共享
仪器名称：系统测试nikon仪器编号：A15000007产地：生产厂家：型号：出厂日期：购置日期：样品要求：样品要求：活细胞需种植在共聚焦显微镜小皿内；需要用0.17mm的盖玻片进行封片预约说明：所有大型仪器均可通过点击“仪器设备”，查看仪器设备联系人信息，可通过电话及邮件联系。预约后如有特殊原因无
EpiQuest真空互联分子束外延系统(半导体）共享应用
仪器名称：真空互联-分子束外延系统(半导体）仪器编号：21028773产地：日本生产厂家：EpiQuest Inc型号：RC2100Se出厂日期：购置日期：2021-11-18所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：010-62784044